支持高速串口读写方式的伪SRAM制造技术

技术编号:9569763 阅读:104 留言:0更新日期:2014-01-16 03:06
本发明专利技术用于存储器的设计,提出了一种支持高速串口读写方式的伪SRAM,即:采用与高速串行接口电路配套之读写方式的设计方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种存储器的设计,采用与高速串行接口电路配套的读写方式。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李煜文
申请(专利权)人:上海摩晶电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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