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本发明用于存储器的设计，提出了一种支持高速串口读写方式的伪SRAM，即：采用与高速串行接口电路配套之读写方式的设计方法。...
该专利属于上海摩晶电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海摩晶电子科技有限公司授权不得商用。

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