一种改进的干法刻蚀腔体制造技术

本发明专利技术公开了一种改进的干法刻蚀腔体，包括刻蚀腔体，其中，还包括进气管和远程等离子发生装置，所述进气管与所述刻蚀腔体连接，所述远程等离子发生装置包括出气口和等离子发生腔体，所述远程等离子发生装置的出气口与所述进气管连接，所述等离子发生腔体产生等离子体由所述出气口进入所述进气管，并由所述进气管导入所述刻蚀腔体内，所述等离子发生腔体与所述刻蚀腔体分离。本发明专利技术的有益效果是：改善双大马士革结构的一体化刻蚀制程中原位灰化制程本身固有的较高的离子损伤导致的表面粗糙度的增加，并提高一体化刻蚀制程的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造领域所使用的刻蚀腔体，尤其是一种用于双大马士革结构一体化刻蚀工艺的改进的干法刻蚀腔体。
技术介绍
中国专利(申请号=03145422. 4)使用低-k介电材料形成双大马士革互连的方法公开了一种使用低k介电材料形成双大马士革互连结构的方法，其工艺特征是使用中间刻蚀阻挡层以控制沟槽(trench)的深度；之后业界逐渐发展出双大马士革结构的一体化刻蚀制程，并已经成为目前被广泛应用的制程手段。但由于其中所包含的原位灰化制程在非灰化专用腔体中进行，所以等离子体产生过程所伴生的自偏压会加速离子轰击晶圆表面而造成等离子损伤并增加表面粗糙度，这些粗糙的表面会在后续制程中转移到与金属的结合面上，造成器件性能下降，因而会降低一体化制程的稳定性。
技术实现思路
针对现有双大马士革结构的一体化刻蚀制程中所存在的上述问题，本专利技术提供一种用于双大马士革结构一体化刻蚀工艺的改进的干法刻蚀腔体。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案为一种改进的干法刻蚀腔体，包括刻蚀腔体，其中，还包括进气管和远程等离子发生装置，所述进气管与所述刻蚀腔体连接，所述远程等离子发生装置包括出气口和等离子发生腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李程，杨渝书，陈玉文，邱慈云，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：