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本发明公开了一种改进的干法刻蚀腔体，包括刻蚀腔体，其中，还包括进气管和远程等离子发生装置，所述进气管与所述刻蚀腔体连接，所述远程等离子发生装置包括出气口和等离子发生腔体，所述远程等离子发生装置的出气口与所述进气管连接，所述等离子发生腔体产生...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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