半导体衬底隔离的形成方法技术

本发明专利技术提出一种半导体衬底隔离的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一氧化物层和氮化物层；在所述氮化物层和第一氧化物层中形成开口，以暴露部分区域的所述半导体衬底；从所述开口处向所述半导体衬底注入氧离子；执行退火操作，以使所述部分区域中至少表层所述半导体衬底形成第二氧化物层；去除所述氮化物层和所述第一氧化物层。相对于传统的STI工艺，本发明专利技术提供的方法工艺流程更为简易，并且适用于普通半导体衬底和绝缘体上半导体衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种通过SIMOX(Separation bylmplantedOxygen，注氧隔离)技术形成半导体衬底隔离的方法。
技术介绍
浅沟槽_离(Shallow trench isolation, STI)エ艺是在半导体衬底上形成_离区的一种标准エ艺，目前被广泛应用于半导体行业，尤其是超大規模集成(ULSI)电路中。STIエ艺过程可以分为三个主要步骤槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。相对于更早期 的隔离エ艺如局域氧化工艺(L0C0S)，STIエ艺更为复杂。现有技术中已有利用SIMOX技术制造的绝缘体上娃晶片，即在闻温条件下,将闻剂量氧离子注入到单晶硅中形成隔离层，在超高温退火条件下形成顶层硅、ニ氧化硅埋氧层、体娃三层结构的新型半导体材料，參见专利“Process for fabrication of a SIMOXsubstrate, US 6，740，565 B2”。综上，有必要结合半导体微加工领域的如SMOX和/或其他技术开发更为简易的隔离エ艺，以适应半导体エ业的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的g在至少解决上述技术问题之一，特别是提供一种通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体衬底隔离的形成方法，其特征在于，包括以下步骤 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上依次形成第一氧化物层和氮化物层； 在所述氮化物层和第一氧化物层中形成开ロ，以暴露部分区域的所述半导体衬底； 从所述开ロ处向所述半导体衬底注入氧离子； 执行退火操作，以使所述部分区域中至少表层所述半导体衬底形成第二氧化物层； 去除所述氮化物层和所述第一氧化物层。2.如权利要求I所述的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括体硅衬底、硅锗衬底、绝缘体上硅衬底或绝缘体上硅锗衬底。3.如权利要求I所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化物层的方法包括氧化所述半导体衬底表层，或者，在所述半导体衬底上淀积第一氧化物层。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，骆志炯，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：