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本发明提出一种半导体衬底隔离的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一氧化物层和氮化物层；在所述氮化物层和第一氧化物层中形成开口，以暴露部分区域的所述半导体衬底；从所述开口处向所述半导体衬底注入氧离子；执行退火...该专利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。