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一种形成浅沟槽隔离的方法包括：在基底上形成衬垫氧化层、介电层和即时掺杂多晶硅层；形成至少一沟槽；沿着沟槽的侧壁与即时掺杂多晶硅层表面，形成氧化物衬层；在氧化物衬层上与沟槽中，形成化学气相沉积氧化物层；在此氧化物层上，实施氧化物研磨浆化学机械...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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