【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造集成半导体存储器装置的一种方法和涉及一种按此方法制造的半导体存储器装置。基于半导体的各存储器装置通常由一定数目的存储器单元组成，这些存储器单元各自具有一个选择晶体管和一个与此选择晶体管连接的存储电容器。在这样的各半导体存储器装置的制造方法中通常在各导电连接之上敷设各第一电极，在此各导电连接中的一个各自将各第一电极中的一个与各选择晶体管中的各一个连接。在第一电极之上敷设一个存储电介层，在此存储电介层上又敷设一个第二电极，使得第一和第二电极以及位于其间的存储电介层形成一个存储电容器，此存储电容器是与各选择晶体管中的一个导电连接的。采用各种新型铁电材料作为各存储电容器的存储电介层使得各种半导体存储器的制造成为可能，这些半导体存储器在消除供电电压后不损失它们的以电荷形式存储的信息，或者不必由于出现的泄漏电流定期地刷新各半导体存储器的各存储内容。在采用大多迄今已知的这样一些铁电材料时，关键的是在一个半导体过程之内的这些材料的处理。大多这样的铁电材料的析出在含氧气氛中的各高温下进行。这样一些铁电材料在上述方法中的采用具有氧化导电连接的后果，因为在各...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1．用于制造集成半导体存储器装置的方法，具有以下方法步骤-准备就绪一个由各存储晶体管(2)组成的含有一个绝缘层(10)的装置，通向各选择晶体管(2)的各源区(4)的各接点孔(12)位于此绝缘层中，在此各第一接点插头(16)位于这些接点孔中；-敷设至少一个第一电极(18)到绝缘层(10)的表面(20)上，其中，第一电极(18)如此地具有各缺口(17)，以致于暴露各第一接点插头(16)的各表面(19)以及绝缘层(10)表面(20)的界靠到这些接点孔(12)上的各区；-析出一个电介质层(22)；-析出由电极材料制的一个第二层；-结构化由制作各第二电极(24)用的电极材料制的第二层；-暴露各第一接点插头(16)；-如此地在各暴露的第一接点插头之上制造各第二接点插头(28)，以致于各第二电极(24)中的一个是与各第一接点插头(16)中的各一个导电连接的。2．用于制造集成半导体存储器装置的方法，具有以下方法步骤-准备就绪一个由各选择晶体管(2)组成的含有一个绝缘层(10)的装置，通向各选择晶体管(2)的各源区(4)的各接点孔(12)位于此绝缘层中，其中，各第一接点插头(16)位于这些接点孔中；-敷设至少一个第一电极(18)到绝缘层(10)的表面(20)上，其中，第一电极(18)如此地具有各缺口(17)，以致于暴露各第一接点插头(16)的各表面(19)以及绝缘层(10)的表面(20)的界靠到这些接点孔(12)上的各区；-析出一个电介质层(22)；-暴露各第一接点插头(16)；-析出由电极材料制的一个第二层；-结构化由制作各第二电极(24)用的电极材料构成的第二层。3．按权利要求1或2的方法，其特征在于，通过析出一个由电极材料制的第一层到绝缘层(10)的表面(20)上来生成第一电极(18)，其中，从各接点插头(16)的各表面(19)上和从绝缘层(10)表面(20)的界靠到这些接点孔(12)的各区上除去第一层。4．按前述权利要求之一的方法，其特征在于，在析出由电极材料制的第一层之前，在绝缘层(10)的表面(20)上敷设一个结构化的辅助层(30)，其中，此辅助层(30)具有各缺口(32)，以致于暴露各第一接点插头(16)的这些表面(19)和绝缘层(10)表面(20)的界靠到这些接点孔(12)的各区。5．按前述权利要求之一的方法，其特征在于，电介质层(22)由一种具有铁电性能的材料制成。6．按前述权利要求之一的方法，其特征在于，电介质层(22)由一种拥有大于10的介电...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·欣特迈尔，C·马祖雷埃斯佩佐，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：
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