一种金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）电容结构的半导体装置，在至少两个以上的绝缘层上形成多个ＭＩＭ电容结构图案，绝缘层包含半导体装置的介层及金属化层，在至少两个邻接的ＭＩＭ电容图案之间的绝缘层顶部形成一凹型区域，当沉积ＭＩＭ电容结构的上平板材...

本实用新型提供一种在集成电路元件中的可编程电阻器元件，包括：多条线路包括半导体层位于基底上，该线路在第一端点与第二端点间电性并联，且其中任何线路可通过从第一端点至第二端点强加电流而被烧断；以及位于第一群线路上但不位于第二群线路上的金属半...

本实用新型提供一种半导体装置，包括：一个基底；位于基底上的多个栅极；位于栅极和基底之间的栅介电层，各栅介电层的厚度大体相同；栅极中至少一个的材料为第一材料；以及栅极中至少一个的材料为不同于第一材料的第二材料。本实用新型提供的半导体装置，...

液体的假配发的控制，藉由纪录处理基材时的时间；记录配发液体时的时间；以及比较处理基材时的时间与配发液体时的时间，以在需要进行假配发时产生假配发讯号。一种控制液体的假配发的系统，包括至少一信息储存组件，其储存处理基材时的时间以及配发液体时...

本实用新型提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构。该栅极结构包括一半导体基底，该基底实质上无凹进（ｒｅｃｅｓｓ）或离子造成损伤（ｄａｍａｇｅ），一具有高介电常数的栅极介电层，形成于该基底表面，以及一栅极，形成于该栅极介电层表面。其中该具...

一种半导体基材结构，此半导体基材包含了具有导电区域与非导电区域的基材，其中导电区域为铜导线所构成，且由电镀制程所形成。一合金层，形成于这些导电区域中，且该合金层由钴金属薄膜与铜金属薄膜经热处理制程所形成。

本实用新型提供一种多重栅极介电层的结构。其中，该重栅极介电层的结构是包含一高介电常数介电层沉积于一具有原生氧化层的半导体基底上，该高介电常数介电层的介电常数大于８。该高介电常数介电层是不形成于一高效能组件区内，做为低漏电流组件区的一栅极...

本实用新型一种内联机结构，是在介电层中形成一开口，再以原子层沉积法（ＡＬＤ）在开口侧壁与底部上形成扩散阻障层与低阻值金属层作为复合式扩散阻障层，以阻隔后续形成的铜导线扩散并增进其附着力。较佳的复合式扩散阻障层为以原子层沉积法形成的双层式...

本实用新型提供一种球门阵列封装，包括：一半导体芯片／晶粒固定在一球闸基底上，该球闸基底具有一系列的球状接点；及一散热片以对应于所述的球状接点地设置在该半导体芯片／晶粒及该球闸基底上，且该散热片具有一狭缝图案。

一种利用含硅－碳薄膜作为介电层的中间层的钨－铜内联机结构。在具有导电区的半导体基底上，先覆盖一绝缘层。该绝缘层上具有开口以露出该导电区。以钨插塞填充该介层洞以电性连结该导电区。该绝缘层与钨插塞上覆盖含硅－碳薄膜以及低介电常数介电层，其上...

一种静电放电保护电路，适用于一集成电路的接触垫，包括一静电放电触发模组，具有一第一晶体管以及一第二晶体管，该第一晶体管与该第二晶体管串联于该接触垫及一第一节点之间；至少一静电放电保护模组，具有一第三晶体管以及一第四晶体管，该第三晶体管与...

本实用新型为一种改善阻障层的覆盖均匀性的内连线，包括：一半导体基底；一介电层，形成于该半导体基底上，其中该介电层具有一沟槽，且该沟槽露出于该半导体基底表面；以及，一阻障层，形成于该沟槽的侧壁及底部，其中该阻障层具有一大体均匀的厚度，且该...

本实用新型提供了一种改善蚀刻中止层与金属层间的粘着性的结构，该结构包括在金属层与蚀刻中止层间增加了一层原子层级金属氮化物作为覆盖层，藉以增加蚀刻中止层与金属层的粘着性，以提升可靠度。

本实用新型是关于一种多重栅极结构，包括：多个鳍型半导体层，沿一第一方向大体平行地排列，且由多个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中上述鳍型半导体层的底面大于与其与绝缘台地的接触面；以及一栅极导电层，沿一第二方向延伸且覆盖于上述鳍型半导体...

本实用新型是关于一种半导体组件，此半导体组件的结构包括：一栅极介电层，覆盖于一通道区上；一源极区及一汲极区，位于该通道区的对称侧，其中通道区包含有第一半导体材料而源极区及汲极区包含有第二半导体材料；一闸电极，覆盖于栅极介电层上；以及一第...

本实用新型提供一种于其邻近区域具低介电常数材质的半导体装置。包括：一装置，包括一栅极，于该基底上；一导电插栓，邻近该栅极且与该装置产生电性连接；以及一低介电常数材质，设置于该栅极与该导电插栓之间，以降低其寄生电容。由此，可制作出高密度且...

本实用新型提供了一种接合垫区的结构，其能够达到在集成电路的结构中有效防止接合垫剥离的目的。一种接合垫区的结构，适用于一半导体基底上，用以打线制作接脚（ｗｉｒｅ　ｂｏｎｄ）于接合垫表面，其特征在于包括：一图案化介电层，形成于所述半导体基底...

本实用新型主要利用一对垂直场效电晶体建构出一数字随耦器（ｄｉｇｉｔａｌｆｏｌｌｏｗｅｒ），再利用数字随耦器建构成一数字储存组件，更进一步提出一种新ＳＲＡＭ记忆单元的结构。因此，本实用新型提出的具有两个储存组件ＳＲＡＭ记忆单元比现有ＳＲＡ...

本实用新型提供一种集成电路的电容结构。一基底，其上具有一第一导体层。一第一绝缘层，形成于基底上并覆盖第一导体层。一沟槽，形成于部分第一绝缘层中。一下电极，形成于沟槽的侧壁上。一顺应的介电层，形成于下电极与槽沟的底部上。一上电极，形成于介...

本实用新型是关于一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构，此结构包括：一基底，其上设置有一绝缘层；多个半导体岛，分隔地设置于绝缘层上并部分遮蔽上述绝缘层；以及多个抗凹蚀区（ｒｅｃｅｓｓ－ｒｅｓｉｓｔａｎｔｒｅｇｉｏｎ），个别地设置于未为此些半导...