一具有多个硅化的多晶硅结构的半导体组件，其中是提供所述多晶硅结构一大致均匀的硅化反应。闲置多晶硅结构于硅化反应前形成于基底上，其可允许芯片表面得以平坦而不致产生一过度凹陷处，并导致参与硅化反应的金属量于不同多晶硅结构中大致均匀地分布。

本实用新型提供一种集成电路，该集成电路的不同芯片区具有不同的闸介电质。该集成电路包括基底、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管在第一闸极和基底之间具有第一闸介电质，该第一闸介电质包括第一高介电常数材料和／或第二高介电常数材料，具有第一等效...

本实用新型提出一种浸没式光刻系统。该光刻系统由一个光学表面、一层与光学表面的一部分接触的浸没流体、以及一个上表面具有感光材料层的半导体结构组成。其中，感光材料层的部分表面与浸没流体接触，且感光材料层的厚度不大于５０００Ａ。本实用新型在提...

一种单一晶体管型随机存取存储器，包括：一半导体基底，包含有一存储单元区以及一逻辑电路区；多个浅沟槽隔离结构，形成于半导体基底内；多个栅极层与栅极绝缘层，形成于半导体基底的表面上；一源／漏极区，形成于存储单元区内的第一栅极层周围的半导体基...

提供一种制造埋入式电容器介层窗的结构，此埋入式电容器具有一下电极、一电容介电层、一上电极及一抗反射层，其中，电容介电层、上电极及抗反射层组成埋入式电容器的侧壁，形成一介层窗，此介层窗暴露出埋入式电容器的侧壁。

本实用新型提供一种单一晶体管平面随机存取存储单元，以其改善电荷保存能力，包括一通栅晶体管结构与一储存晶体管结构形成于一硅基底上，且此通栅晶体管结构与此储存晶体管结构分开，以在一第一掺杂区形成一空间距离；以及一侧壁间隙壁材料邻近于上述通栅...

本实用新型提供一种用于ＣＭＯＳ的存储器结构，用以降低软错误（ｓｏｆｔ－ｅｒｒｏｒｓ）的发生。在此存储单元的布局中，晶体管的源极至漏极轴与存储单元的较短边平行，且此存储单元具有一较长边与一较短边，其中较长边较佳为较短边的２倍长，如此可利用...

本实用新型是揭示一种半导体组件。其利用一高温超导（Ｈｉｇｈ　　Ｔｅｍｐｅｒａ　　ｔｕｒｅ　　Ｓｕｒｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ＨＴＳ）层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜（或其它金属）导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以...

一种降低应力迁移（Ｓｔｒｅｓｓ　　Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）的多重金属内连线（Ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ　　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ）布局，其可在大面积金属层上加入扩散阻障（Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　　Ｂｌｏｃｋ）或孔洞槽（Ｖａｃａｎｃｙ　　Ｓｉｎｋ）...

本实用新型提供一种半导体电路，其包含有一半导体基材、一半导体元件具有一漏极区域设于半导体基材上，以及一相反型掺杂区域水平设置于漏极区域旁并与漏极区域相接，其中相反型掺杂区域具有与漏极相反的掺质类型，且其掺质浓度高于半导体基材，而相反型掺...

本实用新型涉及一种集成电路晶体管，用于ＬＤＤ离子布植制程的补偿间隙壁，此补偿间隙壁是不借由光微影与干蚀刻制程的全面性沉积所形成，此位于ＬＤＤ区上的补偿间隙壁在一离子布植制程中可防止基底损失硅与防止掺杂质的污染，且具有致密化的特性以改善元...

本实用新型提供一种浅沟槽隔离（ＳＴＩ）结构以减少应力改善电子迁移，其包括：一半导体基底；一沟槽设置于该半导体基底中；一或多个内衬材料层覆盖于该沟槽表面上；以及，一或多个沟槽填充材料层填充于该沟槽的内衬材料层上，其包括沿半导体基底表面的水...

本实用新型揭示一种多层半导体装置，包括：一介电绝缘层于半导体基板上，该介电绝缘层具有上改良表面部分以及较低部分，上改良表面部分的每一单位体积具有比覆盖层更多的硅氧键；一含铜金属内连线于该介电绝缘层中；以及一覆盖层于该含铜金属内连线以及该...

一种半导体构装封环结构，其包括多个绝缘层、个别嵌进一上述绝缘层的多个导电条，以及个别接触一上述导电条且延伸穿越至少一上述绝缘层的多个导电柱，该些导电柱至少部分通过另一上述导电条上的开口。

本实用新型提供一种集成电路元件。该集成电路元件包含介电质／金属／第二能隙半导体／第一能隙基底结构。为了降低接触电阻，利用具有较低能隙的第二能隙半导体与金属相接触。该第二能隙半导体的能隙低于第一能隙基底的能隙，且低于１．１ｅＶ。此外，可以...

本实用新型提供一种具有多样的金属硅化物的半导体元件。该半导体元件包括一个半导体基底，一个位于基底的第一区的第一金属硅化物，以及一个位于基底的第二区的第二金属硅化物。其中，第一金属硅化物不同于第二金属硅化物。此外，第一金属硅化物和第二金属...

一种研磨浆臂（Ｓｌｕｒｒｙ　　Ａｒｍ）自动控制装置。此研磨浆臂自动控制装置至少包括移动马达、信号处理控制板、以及移除率接收器程序。此研磨浆臂自动控制装置在应用上是通过计算机整合制造（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　Ｍａｎｕｆ...

一种半导体结构，其在导体区完成后，利用例如选择性反应（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　　Ｒｅａｃｔｉｏｎ）、等离子体表面处理（Ｐｌａｓｍａ　　Ｓｕｒｆａｃｅ　　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）或离子植入（Ｉｏｎ　　Ｉｍｐｌａｎａｔｉｏｎ）等方式来钝化（Ｐａｓｓ...

一种搬运系统，其包含：一仓储子系统，具有一仓储本体以及多个存取埠，其中，上述存取埠设置于上述仓储本体之上；以及一搬运轨道子系统，具有一搬运轨道部及一仓储载卸部，上述搬运轨道部连接上述仓储载卸部，上述仓储载卸部具有多个轨道分支，上述轨道分...

本实用新型是关于一种无铬膜层相位移光罩，包括：一透光基底；至少一第一相位移图案，由至少一环状凹陷所构成；以及一第一次解析透光图案，是由上述环状凹陷所环绕的透光基底所构成，以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案。