一种形成半导体器件的方法，包括：　提供一种具有ＰＭＯＳ区域和ＮＭＯＳ区域的半导体衬底；　在所述半导体衬底上的ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ区域上形成高ｋ栅电介质；以及　在所述ＰＭＯＳ区域中形成栅结构以及在所述ＮＭＯＳ区域中形成栅结构， ...

一种形成α－钽层的方法，包括下列步骤：　形成含氮层于半导体基底上；　以轰击元素轰击该含氮层以形成α－钽晶种层；以及　溅镀钽层于该α－钽晶种层上，以形成实质上由α－钽所构成的表层。

本发明提供一集成电路结构，包括半导体衬底，以及金属化层，位于半导体衬底上。金属化层包括导线、低介电常数区域，邻接该导线，且与该导线在水平方向相隔一空间、以及填充介电材料，填充至少部分该空间，其中该填充介电材料与该低介电常数区域由不同材料...

本发明是有关于一种集成电路结构，包括有钝化层；穿孔设于钝化层中；含铜通道形成于穿孔中；高分子层形成于钝化层上，其中高分子层包括有一开口，并暴露出含铜通道；后端钝化连接（ＰＰＩ）线形成于高分子层中，其中后端钝化连接线延伸至此开口中，并物理...

本发明提出一种衬底中埋植二极管的相变存储器，包括半导体衬底；二极管；和相变元，所述相变元在所述二极管之上并与所述二极管电连接。所述二极管包括第一导电类型的第一掺杂半导体区，其中所述第一掺杂半导体区埋植在所述半导体衬底中；和第二掺杂半导体...

本发明提供一种高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件，该方法包括下列步骤：提供一半导体基材；清洗该基材；对该基材进行一热处理；沉积一高介电常数材料，其中该热处理在一无氧化环境中进行，导致形成一薄界面层。本发明的方法能产生均匀且薄的...

本发明揭示一种简化的双功函数半导体装置及其制造方法，该方法其始于一单一金属栅极，进而完成装置本身的制造。一单一金属单一介电质的互补式金属氧化物半导体集成电路系统中，先沉积具有一栅介电层与一介电顶盖层的一单一介电质堆叠结构及其上的一金属层...

一种预测批次工具的晶片结果的方法，包括收集在批次处理工具中以批次处理的一批晶片的制造数据，以形成一批次处理结果；根据制造数据，定义批次处理结果的自由度；以及根据批次处理结果，通过尝试错误法对批次处理结果的最佳函数模型实施一最佳曲线匹配。

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括在半导体衬底的第一表面形成至少一柱电极，其中每一柱电极包括两个以上柱状物的阵列，柱电极电连接至半导体衬底的线路层，沉积缓冲层于第一表面上，缓冲层密封阵列，移除部分的缓冲层及部分的柱电极，而使柱电极...

一种半导体装置及影像感测装置，该半导体装置包含：具有一前表面及一后表面的一半导体基材；形成于基材上的元件；形成于基材的前表面上的互连金属层，包含一最高互连金属层；一内金属介电层，供绝缘位于其中的多个互连金属层中的每一个；以及位于内金属介...

本发明公开一种具有多层接线结构的半导体晶片。晶片包括：位于晶片上且排置成一阵列的多个裸片区以及位于裸片区之间的多个切割道区。具有未掺杂硅玻璃（ｕｎｄｏｐｅｄ　ｓｉｌｉｃａ　ｇｌａｓｓ，ＵＳＧ）顶层接线层位于超低介电常数（ｅｘｔｒｅｍｅｌ...

一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底之上形成栅电介质；在栅电介质上形成栅电极；在栅电介质和栅电极的侧壁上形成薄衬垫；形成邻近薄衬垫的碳化硅（ＳｉＣ）区；形成包括至少一部分碳化硅区的深源／漏区；覆盖形成金属层，其中...

本发明涉及一种在电介质层堆叠中蚀刻接触孔的方法。该方法可最小化接触孔与邻近的导电结构之间的桥接缺陷。衬底具有导电材料层与有源器件设置在其上。蚀刻终止层覆盖在元件与导电材料层上。接着提供层间电介质层与抗反射覆盖层。利用图形化的光刻胶，蚀刻...

本发明是有关于一种半导体芯片，其包括硅通孔、元件区、及围设于元件区与硅通孔之一的防串音环。硅通孔实质上是藉由防串音环与所有包含多个主动元件的多个元件区隔离，其可防止硅通孔与集成电路之间串音。

本发明涉及一种半导体装置，包含一第一电路、一第一封环以及至少一第一缺口。第一封环环绕第一电路。第一缺口切开第一封环，且此第一缺口包含一内开口、一外开口以及一连接沟。其中，内开口位于第一封环内侧。外开口位于第一封环外侧，且此外开口与内开口...

本发明提供一种芯片－晶圆接合装置，包括清洁组件，用以清洗芯片；芯片－晶圆接合室，用以接受清洁组件的芯片，并将芯片接合到晶圆上。本发明还提供一种利用此接合装置的芯片－晶圆接合方法。本发明具有无氧环境，高接合率及／或其他芯片－晶圆接合程序的...

本发明提供集成电路设计系统，可用于局部移除多项目晶片的电路图案。此系统可用以提供多项目晶片。该系统可包括：处理系统，用以在多项目晶片之上制作出多个晶粒，其中，所述多个晶粒分别包括第一使用者的集成电路设计与第二使用者的集成电路设计；以及钻...

本发明是有关于一种微影双重图形成形方法，包含下列步骤：形成一第一光阻层于一基板上，第一光阻层包含至少一开口；固化第一光阻层；形成一第二光阻层于基板上；形成一物质层于基板上；以及移除第一及第二光阻层以曝露基板。藉此能够利用微影双重图形方法...

本发明涉及一种在背面表面形成对准标记的装置，包含一集成电路和一对准标记。集成电路位于一基板的一第一区域，其中此基板有一第一表面和一第二表面，且第一表面和第二表面为此基板的两个相对的主要的表面。对准标记位于基板的一第二区域，且该对准标记穿...

本发明涉及由粗略及精细电阻形成的晶粒上终端器，尤其一种集成电路，包括：半导体基板；第一节点；第二节点；以及多个第一电阻，各自处于多个第一电阻单元中。多个第一电阻单元的每一个均包括连接至第一节点的第一端点、以及连接至第二节点的第二端点。集...