【技术实现步骤摘要】
本专利技术系有关于一种晶圆结构,特别是有关于一种晶圆结构于切割道(scribe line)所区隔的集成电路区的周围设置可避免传递高频噪声的防护环(sealring)结构。参阅图2,图2系显示传统技术于附图说明图1中的标号16所标示之区域的详细结构图。传统技术于晶片14周围设置防护环20,上述防护环20的材质为金属材料,其形成方式是在形成晶片的半导体制程中,直接定义于各层的金属层,以及各介电层中的插塞(plug)或穿孔(via)内,使其由半导体基底的底部延伸至基底的表面而形成一屏障。另外,由于金属材料的延展性及防水的特性,能够避免水汽侵入晶片14而导致晶片14发生质变,并可避免在切割过程于晶片14的边缘处产生龟裂的情形。因此此方法广为业界所使用。然而,当晶片14的操作频率逐渐提高,例如达到射频级的工作频率时,晶片14内部的讯号将会耦合至防护环20,并经由防护环20而传递至晶片14的周围。而此噪声很容易因此而耦合至晶片14的信号输入端口,造成晶片14的操作时序发生错误而导致逻辑性的错误。参阅图3,图3系显示传统技术于图1中的标号16所标示的区域的另一例子。为了解决上述问题,传统技术的解决方式是将防护环30设计成不连续的分散结构(如图3所示),藉以避免耦合至防护环30的噪声经由防护环30而耦合至晶片14的信号输入端口。然而,防护环30中虽然可避免传递不必要的噪声,但由于间隙的存在,仍然无法有效解决水汽侵入晶片14以及在切割过程于晶片14的边缘处产生龟裂的情形(如标号32所示),显示传统方法仍须改进。根据本专利技术所提供的防护环,其设计是根据微波理论而将防护 ...
【技术保护点】
一种晶圆结构,包括: 一晶圆本体,具有复数切割道,并藉由上述切割道形成一集成电路区;及 一防护环,设置于上述集成电路区的周围,上述导电性防护环系以一第一导电性构件以及与上述第一导电性构件具有不同阻抗之一第二导电性构件彼此电性连接而形成。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构,包括一晶圆本体,具有复数切割道,并藉由上述切割道形成一集成电路区;及一防护环,设置于上述集成电路区的周围,上述导电性防护环系以一第一导电性构件以及与上述第一导电性构件具有不同阻抗之一第二导电性构件彼此电性连接而形成。2.如权利要求1所述的晶圆结构,其特征在于,其中上述第一导电性构件及第二导电性构件系一体成形。3.如权利要求2所述的晶圆结构,其特征在于,其中上述第一导电性构件及第二导电性构件为矩形。4.如权利要求3所述的晶圆结构,其特征在于,其中上述第一导电性构件及第二导电性构件沿一既定方向分别具有第一宽度及第二宽度。5.如权利要求4所述的晶圆结构,其特征在于,其中上述第一导电性构件及第二导电性构件沿着大体垂直上述既定方向分别具有第一长度及第二长度。6.如权利要求5所述的晶圆结构,其特征在于,其中上述第一宽度、第二宽度、第一长度及第二长度系根据慢波理论而设定。7.如权利要求6所述的晶圆结构,其特征在于,其中上述集成电路区为晶片。8.一种晶圆结构,包括一晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡肇杰,王是琦,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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