放大器系统及其形成方法技术方案

一种放大器系统包括具有输入分流电容的输入焊盘、具有输出分流电容的输出焊盘和高频放大器，高频放大器包括耦合到输入焊盘的输入端子和耦合到输出焊盘的输出端子。输入分流电容大于输出分流电容。本申请的实施例还提供了形成放大器系统的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例提供了放大器系统及其形成方法。

技术介绍

1、毫米波(mm波)频率通常是指在大约30ghz到300ghz之间的频带中的射频(rf)信号，其经常用于各种应用，诸如无线个人区域网络(wpan)、汽车雷达、图像传感等。已经公开了用于rf电路(包括毫米波电路)的各种低噪声放大器(lna)。例如，一些毫米波lna可以使用用于多级lna的互补金属氧化物半导体(cmos)级联结构来实现。对于这样的lna电路，阻抗匹配通常会用于放大器输入端子和输出端子。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种放大器系统，包括：输入焊盘，具有输入分流电容；输出焊盘，具有输出分流电容；以及高频放大器，包括耦合到输入焊盘的输入端子和耦合到输出焊盘的输出端子；其中，输入分流电容大于输出分流电容。

2、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种放大器系统，包括：高频放大器，包括输入端子和输出端子；输入焊盘，耦合到输入端子，输入焊盘包括衬底、位于衬底上方的底部导电层、以及位于底部导电层上方并与底部导体层间隔开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种放大器系统，包括：

2.根据权利要求1所述的放大器系统，其中，所述输入焊盘被屏蔽。

3.根据权利要求1所述的放大器系统，其中，所述输出焊盘未被屏蔽。

4.根据权利要求1所述的放大器系统，其中，所述输入焊盘包括：

5.根据权利要求4所述的放大器系统，其中，所述底部导电层包括：

6.根据权利要求4所述的放大器系统，其中，所述顶部导电层与所述底部导电层重叠。

7.一种放大器系统，包括：

8.根据权利要求7所述的放大器系统，其中，所述输入焊盘具有输入分流电容，并且所述输出焊盘具有低于所述输入分流电容的输出...

【技术特征摘要】

1.一种放大器系统，包括：

2.根据权利要求1所述的放大器系统，其中，所述输入焊盘被屏蔽。

3.根据权利要求1所述的放大器系统，其中，所述输出焊盘未被屏蔽。

4.根据权利要求1所述的放大器系统，其中，所述输入焊盘包括：

5.根据权利要求4所述的放大器系统，其中，所述底部导电层包括：

6.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：库诺·马哈赛斯，谢协宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：