具有倾斜边缘的晶片载体制造技术

一种晶片载体(140)，包括主体，主体限定中心轴(142)、垂直于中心轴(142)且基本为平面的顶面(141)，低于顶面(141)凹陷以容纳晶片(50)的容纳部(143)。晶片载体(140)的主体可包括沿顶面(141)外周向上突出的唇部(180)。唇部(180)可限定从平顶面(141)向外，远离中心轴(142)以径向向外的方向倾斜的唇表面(181)。晶片载体(140)的主体可适于安装在处理装置(10)的转轴(30)上，使得主体的中心轴(142)与转轴(30)同轴。唇部(180)可改善晶片载体(140)的顶面(141)上方气体的流动模式。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有倾斜边缘的晶片载体相关申请的交叉引用 本申请要求申请号为61/309995、申请日为2010年3月3日的美国临时专利申请的申请日之利益，其公开的内容因参考而纳入本文。
技术介绍
本专利技术涉及用于应用活性气体处理基片的方法及装置，及在这种装置中应用的基片载体。例如，本专利技术可在半导体晶片等的基片上进行的，例如有机金属化学气相沉积法(“M0CVD”)的化学气相沉积中应用。许多半导体器件是通过在基片上进行处理而形成的。基片典型地为结晶材料的片 体，通常称为“晶片”。典型地，晶片通过生成大的结晶及把该结晶切成盘状而形成。在这种晶片上进行的一种常用的处理过程为外延生长。例如，由如III - V族半导体等化合物半导体制成的器件，典型地为，通过应用有机金属化学气相沉积法或“MO⑶V”，在化合物半导体上生长连续的层而形成。在这个处理过程中，晶片暴露在气体混合物中，气体混合物典型地包括作为III族金属元素来源的有机金属化合物，还包括V族元素的来源物质，气体混合物在晶片表面上方流动，而此时晶片被保持在较高的温度。典型地，有机金属化合物和V族元素的来源物质与在反应过程中不明显参与的载体气体，例如氮气，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·米特洛维奇，J·曼根，W·E·奎因，
申请(专利权)人：威科仪器有限公司，
类型：
国别省市：