半导体结构制造技术

本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括SRAM单元。在实施例中，所述SRAM单元包括位于基板上方的通道区、与通道区相连的源极/漏极部件、与通道区相交的栅极结构以及与该源极/漏极部件以及该栅极结构相连的第一接触部件。第一接触部件的一部分设置于栅极结构的正下方。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及半导体结构。

技术介绍

1、半导体集成电路(integrated circuit,ic)产业经历了快速的成长。ic材料及设计的技术进步产生了几代ic，其每一代的电路都比上一代更小、更复杂。集成电路演进期间，功能密度(也就是说，单位芯片面积的互连装置数目)通常会增加而几何尺寸(也就是说，即可使用工艺生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化的过程通常会以增加生产效率与降低相关成本而提供助益。这样的尺寸微缩也增加了处理及制造ic的复杂度。

2、例如，ic尺寸的大幅缩小导致了密集间隔的源极/漏极部件及栅极结构，以及密集间隔的源极/漏极接触件及栅极导孔。在一些ic电路(例如，存储器装置)中，栅极结构及源极/漏极部件之间的连接可以通过各种接触结构来实现。例如，栅极结构可以经由形成在其上的对接接触件(butted contact,bct)电性耦合至源极/漏极部件。随着装置尺寸越来越小，对接接触件受到栅极结构与源极/漏极接触件之间有限的接触面积的影响，导致栅极结构与源极/漏极接触件之间的高接触阻抗及/或不良连接。此外，对接接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一接触部件的一第二部分设置于该源极/漏极部件的正下方。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该通道区包含多个纳米结构，且该栅极结构包绕每一个多个所述纳米结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

7.一种半导体结构，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一接触部件的一第二部分设置于该源极/漏极部件的正下方。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该通道区包含多个纳米结构，且该栅极结构包绕每一个多个所述纳米结构。

5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰铭，邱奕勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：