【技术实现步骤摘要】
此处所述的多种实施例关于半导体结构，更特别关于含有中介层与贴合至中介层的至少一半导体晶粒的组装的半导体结构，且中介层包含至少一被动装置于其中。
技术介绍
1、中介层可用于使印刷电路板与至少一半导体晶粒或其他电子构件连接在一起。施加高电压可能损伤集成被动装置所含的构件如电容器结构。与此同时，需要高电压测试中介层中的重布线的布线内连线，以确认中介层中不存在电性短路(如非刻意的电性连接)。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例提供的半导体结构，包括：中介层，包括：集成被动装置；晶粒侧重布线结构；多个第一中介层上凸块结构；以及多个第二中介层上凸块结构，其中晶粒侧重布线结构包括多个第一晶粒侧重布线的布线内连线电性连接集成被动装置中的多个电性节点至第一中介层上凸块结构，且更包括多个第二晶粒侧重布线的布线内连线以各自提供个别的电性连接于第二中介层上凸块结构中个别成对的第二中介层上凸块结构之间；以及第一半导体晶粒，包括：多个第一晶粒上凸块结构，其经由多个第一焊料材料部分接合至第一中介层上凸块结构；以及多个...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个第二晶粒侧重布线的布线内连线不直接接触任何所述多个第一晶粒侧重布线的布线内连线。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个第一晶粒侧重布线的布线内连线包括多个金属垫与多个金属通孔结构的多个垂直堆叠，其中所述多个金属垫各自接触上方的个别的所述多个金属通孔结构、下方的个别的所述多个金属通孔结构、与多个晶粒侧重布线介电层。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一金属内连线结构在平面图中完全位于该集成被动装置的区域中。
5.一种半导体结构的形成
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个第二晶粒侧重布线的布线内连线不直接接触任何所述多个第一晶粒侧重布线的布线内连线。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个第一晶粒侧重布线的布线内连线包括多个金属垫与多个金属通孔结构的多个垂直堆叠，其中所述多个金属垫各自接触上方的个别的所述多个金属通孔结构、下方的个别的所述多个金属通孔结构、与多个晶粒侧重布线介电层。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一金属内连线结构在平面图中完全位于该集成被动装置的区域中。
5.一种半导体结构的形成方法，包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其中所述多个第一晶粒侧重布线的布线内连线包括多个金属垫与多个金属通孔结构的多个垂直堆叠，其中所述多个金属垫各自直接接触上方的个别...
【专利技术属性】
技术研发人员：许国经，陆湘台，吴冠龙，李雅惠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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