具有覆盖层的熔丝制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有覆盖层的熔丝，包括：一半导体基底，该半导体基底上有一金属内连线及一熔丝；其特征在于，一包含有一第一介电层、一停止层及一第二介电层所组成的覆盖层设于该半导体基底、该金属内连线及该熔丝的表面上；一金属焊垫设置于该覆盖层中；一保护层设置于该金属焊垫及该覆盖层上，其中该保护层中具有两个开口，其中一个开口露出该金属焊垫的表面，而另一开口位于该熔丝上方且该另一开口与该熔丝间相隔有一既定距离。本实用新型专利技术的覆盖层结构，具有隔离空气、保护芯片的作用，可有效确保熔丝的功效。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术有关于一种熔丝，特别是有关于一种具有覆盖层的熔丝，适用于半导体装置。
技术介绍
目前半导体装置在进入极大规模集成电路制程后，必须缩短线间距以增加积集度，如此，在制造过程中产生的瑕疵或缺陷便有增加的趋势，产出良率自然也随之下降，因此，集成电路(IC)如存储器装置中的静态随机存取存储器(SDAM)或动态随机存取存储器(DRAM)，是利用冗余电路中熔丝的设置，来修复制造过程中产生瑕疵的存储器单元，像经过电性测试所得的瑕疵的存储器单元，可藉由烧断冗余电路中与其连接的熔丝而置换，且随后导通备用行或列的记忆单元。目前，烧断熔丝的方法大约以激光束烧断和通入高电流为主。以下请参考图1a～1j所示，显示习知具有覆盖层熔丝的结构形成示意图。请参考图1a，首先，提供一半导体基底101，半导体基底101上可形成任何需要的元件。于半导体基底101上依序形成一介电层102及一图案化罩幕层103，图案化罩幕层103具有开口104a及104b，开口104a及104b会露出介电层102的部份表面，而开口104a的位置即为后续形成金属内连线的位置，开口104b的位置为后续形成熔丝(fuse)的位置。其中，半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有覆盖层的熔丝，包括：一半导体基底，该半导体基底上有一金属内连线及一熔丝；其特征在于，一包含有一第一介电层、一停止层及一第二介电层所组成的覆盖层设于该半导体基底、该金属内连线及该熔丝的表面上；一金属焊垫设置于该覆盖层中；一保护层设置于该金属焊垫及该覆盖层上，其中该保护层中具有两个开口，其中一个开口露出该金属焊垫的表面，而另一开口位于该熔丝上方且该另一开口与该熔丝间相隔有一既定距离。

【技术特征摘要】
1.一种具有覆盖层的熔丝，包括一半导体基底，该半导体基底上有一金属内连线及一熔丝；其特征在于，一包含有一第一介电层、一停止层及一第二介电层所组成的覆盖层设于该半导体基底、该金属内连线及该熔丝的表面上；一金属焊垫设置于该覆盖层中；一保护层设置于该金属焊垫及该覆盖层上，其中该保护层中具有两个开口，其中一个开口露出该金属焊垫的表面，而另一开口位于该熔丝上方且该另一开口与该熔丝间相隔有一既定距离。2.如权利要求1所述的具有覆盖层的熔丝，其特征在于，该金属内连线为铜内连线。3.如权利要求1所述的具有覆盖层的熔丝，其特征在于，该熔丝的材质为铜金属。4.如权利要求1所述的具有覆盖层的熔丝，其特征在于，该第一介电层及该第二介电层皆为氧化硅层，厚度皆为1000至100k。5.如权利要求1所述的具有覆盖层的熔丝，其特征在于，该停止层为氮化硅层，厚度为50至50k。6.如权利要求1所述的具有覆盖层的熔丝，其特征在于，金属焊垫为铝化铜层。7.如权利要求1所述的具有覆盖层的熔丝，其特征在于，该保护层为氧化层及氮化层的覆盖层。8.如权利要求7所述的具有覆盖层的熔丝，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴瑞国，吴义郎，吴林峻，陈殿豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]