电熔化熔断器及其阵列和排列制造技术

通过从结构的最上层远距离提供电压到熔断器上来编程埋入多层结构内的电熔断器。用导电座来堆叠组成熔断器的熔断器座从而在熔断器和最上层之间提供电气路径。导电座的尺寸与熔断器座相同。极大地降低了用于编程埋入多层结构内的电熔断器所需的电压。此外，可用导电条来替代导电座，每个导电条与每个熔断器的两个座之一短接。使得熔化所选择的熔断器之一所需的电压降低到一个更低值。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电熔化熔断器的阵列，特别涉及导电触点和设计为降低触点和熔断器之间电阻的开槽条，从而最小化用于编程熔断器的外部提供电压的数值。熔断器和反熔断器已被广泛地用到半导体工业中，尤其是用在集成电路(IC)芯片和多层的第二层封装中。这些元件已用于各种目的，例如，用于如DRAM中的激励冗余单元，用于专用IC芯片或多层组件等。熔断器可通过激光束来电熔化或编程。在现有技术中这两种技术都已很成功地使用。编程电熔化熔断器和反熔断器(下文反熔断器和熔断器将结合在单一类中)一般需要充足的电压。由于外部提供的具有高数值的电压很可能损坏熔断器阵列周围的器件，所以这种要求有明显的缺陷。如在DRAM中的情况一样，当形成IC的所有器件被紧密地压装到一起时，这种情况是尤其如此。因此，在半导体工业中出现一种用于降低编程熔断器所需电压值的趋势，从而促使重新设计熔断器以最小化电熔化熔断器所需外部提供电压而并不对周围器件造成损坏。另一方面，特别是由于每个熔断器需要一个用于编程目的的锁存器，所以排列成线性结构的熔断器使用大量的芯片不动产。而在一个阵列结构中，锁存器的数量可被有效地减少。但是，由于串联的非常小的通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层结构中的可编程熔断器的阵列，每个所述的可编程熔断器具有终止于其每一端的熔断器座的熔断片，所述阵列的特征在于：导电条分别短接每个所述可编程熔断器的所述熔断器座之一。

【技术特征摘要】
US 1999-4-14 09/291,4961.一种多层结构中的可编程熔断器的阵列，每个所述的可编程熔断器具有终止于其每一端的熔断器座的熔断片，所述阵列的特征在于导电条分别短接每个所述可编程熔断器的所述熔断器座之一。2.如权利要求1所述的可编程熔断器的阵列，其中所述的导电条延伸通过每个所述的层并且提供连续而又均匀的导电路径，该导电路径把所述的被短接的熔断器座连接到所述多层结构的顶层。3.如权利要求1所述的可编程熔断器的阵列，其中所述的导电条的电阻小于1欧。4.如权利要求1所述的可编程熔断器的阵列，其中编程所选择的所述熔断器之一所需的电压按与所述的导电条的尺寸成反比的方式降低。5.一种埋入多层结构内的熔断器，所述的熔断器具有终止于其每一端的熔断器座的熔断片，所述的熔断器的特征在于与所述的熔断器座尺寸相同的导电座堆叠在所述的熔断器座上。6.如权利要求5所述的熔断器，其中所述的熔断器座被连接到所述的多层结构的上层。7.一种埋入多层结构内的共平面可编程熔断器的阵列，每个所述的熔断器具有终止于其每一端的熔断器座的熔断片，所述阵列的特征在于与所述的熔断器座尺寸相同的导电座堆叠在所述的熔断器座上。8.如权利要求7所述的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱德拉赛卡纳雷扬，加布里尔丹尼尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，英芬能技术北美公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]