只读存储器和只读存储器件制造技术

一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址，其中矩阵中两导体（２，４）间的空间限定一个存储单元（５）。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元（５）包括提供高阻抗的隔离材料（６）或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体（９）。半导体材料（９）与矩阵中金属导体（２，４）的界面构成二极管结。通过在存储单元中适当地设置各隔离材料（６）和半导体材料（９），可以给出可电读取且对应于二进制或多值编码的逻辑值的确定阻抗值。一个或多个只读存储器（ＲＯＭ）可设于半导体衬底（１）上，以完成只读存储器件，半导体衬底（１）上还包括驱动和控制电路（１３）。该器件可以平面实现，或可以通过以水平层（１５）层叠数个只读存储器（ＲＯＭ），并使它们通过寻址总线与衬底（１）连接立体实现。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电可寻址非易失只读存储器，包括电可寻址非易失只读存储器，该存储器包括多个存储单元，其写操作是只读存储器制造工艺的一部分，根据存储器永久性定义所写入或所存储的数据的确定协议，每个单元被永久性指定一种或两种或更多种逻辑态，还包括寻址用的电导体无源矩阵，其中，无源电导体矩阵包括在彼此间隔且平行的平面内的第一和第二电极结构，每个平面内具有平行电极，提供这种矩阵，使各电极形成基本正交的x、y矩阵，其中第一电极结构中的电极包括矩阵的各列或x电极，第二电极结构中的电极包括矩阵的各行或y电极，其中x电极和y电极交点间的至少一部分空间限定只读存储器的存储单元，其中存储单元中x电极和y电极相互重叠的部分每个都限定存储单元的一个接触区，其中各电极结构之间提供至少一种半导体材料，具有与所选导电电极材料有关的整流特性，还提供电隔离材料，其中与存储单元中电极电接触的半导体材料在半导体材料和电极材料间的界面形成二极管结。本专利技术还涉及包括本专利技术的一个或多个只读存储器的只读存储器件，及包括本专利技术的两个或多个只读存储器的只读存储器件。平面上数据存储位置或位点的矩阵寻址，是用适量电寻址线获本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电可寻址非易失只读存储器，包括：多个存储单元（５），其写操作是只读存储器制造工艺的一部分，根据在存储器中永久性定义所写入或存储的数据的确定协议，每个单元被永久性指定一种或两种或更多种逻辑态，还包括寻址用的电导体（２，４）无源矩阵，其 中，无源电导体矩阵包括在彼此间隔且平行的平面内的第一和第二电极结构，每个平面内具有平行电极（２，４），提供这种矩阵，使各电极形成基本正交的ｘ、ｙ矩阵，其中第一电极结构中的电极包括矩阵的各列或ｘ电极，第二电极结构中的电极（４）包括矩阵的各行或ｙ电极，其中ｘ电极（２）和ｙ（４）电极交点间的至少一部分空间限定只读存储器的存储单元（５），其中存储单元中ｘ电极（２...

【技术特征摘要】
NO 1997-9-1 9739931.一种电可寻址非易失只读存储器，包括多个存储单元(5)，其写操作是只读存储器制造工艺的一部分，根据在存储器中永久性定义所写入或存储的数据的确定协议，每个单元被永久性指定一种或两种或更多种逻辑态，还包括寻址用的电导体(2，4)无源矩阵，其中，无源电导体矩阵包括在彼此间隔且平行的平面内的第一和第二电极结构，每个平面内具有平行电极(2，4)，提供这种矩阵，使各电极形成基本正交的x、y矩阵，其中第一电极结构中的电极包括矩阵的各列或x电极，第二电极结构中的电极(4)包括矩阵的各行或y电极，其中x电极(2)和y(4)电极交点间的至少一部分空间限定只读存储器的存储单元(5)，其中存储单元中x电极(2)和y电极(4)相互重叠的部分每个都限定存储单元(5)的一个接触区(11)，其中各电极结构之间提供至少一种半导体材料(9)，具有与所选导电电极材料有关的整流特性，还提供电隔离材料(6)，其中与存储单元中电极(2，4)电接触的半导体材料(9)在半导体材料和电极材料间的界面形成二极管结，其特征在于，利用覆盖存储单元的整个接触区(11)的半导体材料(9)的有源部分，形成只读存储器中存储单元(5)的第一逻辑态，二极管结包括存储单元的整个接触区，利用被隔离材料(6)覆盖的存储单元中至少一个电极结构，形成只读存储器中所选存储单元(5)的第二逻辑态，利用只覆盖部分接触区(11)的半导体材料(9)的有源部分，形成只读存储器中存储单元(5)的一个或几个附加逻辑态，和/或二极管结只包括部分接触区(11)，从而存储于存储器中的数据可由二进制或多值编码的逻辑态表示，每种情况下的逻辑态由存储单元(5)的阻抗值给出，所说阻抗值基本上由以下因素之一给出半导体材料的阻抗特性，隔离材料的阻抗特性，半导体材料的有源部分的大小，构成二极管结的那部分接触区的大小，及二极管结的阻抗特性。2.根据权利要求1的只读存储器，其中只读存储器构成一个只有一个附加逻辑态的二进制逻辑存储器，其特征在于，表示逻辑0或逻辑1的第一逻辑态由形成于存储单元(5)中的二极管的有效正偏电阻给出，其中半导体材料(9)与x电极(2)和y电极(4)都接触，相应地表示逻辑1或逻辑0的附加逻辑态由设于存储单元(5)中的隔离材料(6)的选定电阻值给出，其中半导体材料(9)至多与x电极(2)或y电极(4)接触。3.根据权利要求2的只读存储器，其特征在于，存储单元中的所说隔离材料(6)具有无限大的电阻值。4.根据权利要求1的只读存储器，其中只读存储器形成为具有两个或多个其它逻辑态的多电平逻辑存储器，其特征在于，第一逻辑态由形成于存储单元(5)中的二极管的有效正偏电阻给出，其中半导体材料(9)与x和y电极(2，4)都接触，附加逻辑态由设于存储单元(5)中的隔离材料(6)的确定电阻值给出，其中半导体材料(9)至多与x电极(2)或y电极(4)接触，每种情况下所选定电阻值介于形成有二极管的存储单元(5)的有效正偏电阻和无限大之间。5.根据权利要求1的只读存储器，其特征在于，所选存储单元(5)中的隔离材料(6)，以整体或局部覆盖存储单元(5)中至少一个电极(2，4)的分离的层...

【专利技术属性】
技术研发人员：HG古德森，PE诺达尔，GI莱斯塔德，
申请(专利权)人：薄膜电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NO[挪威]