【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体元件中的常闭式熔丝,以及其制造方法。Kawanabe等人在美国专利号码4,795,720,“用来产生半导体元件及切割熔丝的方法”中公开使用激光束来割断熔丝。然而在保护遮盖中的开口会造成制作工艺中的污染,因此在切割之后,该孔洞应用一保护层予以覆盖。通常在切割熔丝时所形成的碎砾很可能造成金氧半导体结构无法操作。Velde等人在所提的美国专利号4,536,948,“制造可程序半导体元件的方法”中揭露了烧熔熔丝的方法。通常,熔丝是由复晶硅或金属接触线所形成的,对于复晶硅熔丝而言,必需施予一高电压(例如是15-20V)以使其加热,并将熔丝氧化成绝缘二氧化硅(SiO2)。一般的集成电路都覆盖有氮化硅(Si3N4),二氧化硅或氮化硅及氧化硅(Si3N4/SiO2)堆栈而成的保护层,在加热烧熔复晶硅熔丝或金属熔丝时,很可能会同时使此一保护层断裂,因此,复晶硅熔丝通常需要在顶层中形成一开口,以允许周围水气将元件的导体或电性接触端氧化。这种技术的第二缺点在于熔丝的材料在烧熔时会溅泼到到元件的表面上,而可能损害到元件。另一个缺点为熔丝的程序电源需要相当 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的熔丝,其特征在于包括一金属层,在一基底上形成;一介电层,在该金属层上形成;复数个介层洞,一端与该介电层耦接,另一端曝露于介电层表面;一顶部金属层,形成在该介电层上而与该介层洞相连接,其中该第一及第二顶金属层;复数个介层洞,连接该顶部金属层;其中该金属层和电阻系数可以调整至大于该顶部金属层以作为一熔丝,且其形状亦可以调整。2.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其特征在于该金属层具有中间窄,两端宽的形状。3.一种在半导体结构中形成一熔丝的方法,其特征在于包括形成一第一金属层;形成一绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:周淳朴,
申请(专利权)人:联信科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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