晶圆基座制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆基座，用于一等离子体反应室中承载一晶圆，包含一具有一第一宽度的绝缘本体以及一具有不大于第一宽度的一第二宽度的导体层，且第二宽度不小于晶圆的直径，而导体层埋设于绝缘本体中。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体工艺设备，更具体地说，涉及一种用于等离子体反应室中，承载晶圆的晶圆基座(pedestal)。
技术介绍
如图1所示，该图示出了一传统晶圆基座100在一等离子体反应室200内动作的情形。图1中所示的动作情形是以氩气作为惰性气体等离子体42的来源，以清除半导体晶圆10上的硅氧化物或金属氧化物，特别是半导体晶圆10在金属化工艺中，用于清除介层窗(via)(图中未示出)所曝露的金属层(图中未示出)的氧化物步骤。在图1中的晶圆基座100包含有绝缘本体110与埋设于绝缘本体110内的导体层120。绝缘本体110又可细分为顶盖层112与基底层114。其中，基底层114的材质通常为二氧化硅，且通常具有一凹槽115，导体层120镶嵌于凹槽115的宽度或直径范围内。而顶盖层112的材质通常为石英，且通常为一可替换的消耗性零件(consumable parts)，覆盖于导体层120与基底层114之上，用于承载半导体晶圆10。另外，晶圆基座100的俯视图如图2所示，其中，顶针孔102中内含有顶针(图中未示出)，用于半导体晶圆10的收料(load)与退料(unload)。另外，图2中虚线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆基座，其特征在于包含：　　　　一绝缘本体，具有一第一宽度；以及　　　　一导体层，具有不大于该第一宽度的一第二宽度，且该第二宽度不小于半导体晶圆的直径，而该导体层埋设于所述绝缘本体中。

【技术特征摘要】
CN 2003-7-29 03150013.71.一种晶圆基座，其特征在于包含一绝缘本体，具有一第一宽度；以及一导体层，具有不大于该第一宽度的一第二宽度，且该第二宽度不小于半导体晶圆的直径，而该导体层埋设于所述绝缘本体中。2.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述绝缘本体包含一顶盖层与一基底层，其中所述导体层位于顶盖层与基底层之间。3.根据权利要求2中所述的晶圆基座，其特征在于所述基底层包含一凹槽，该凹槽具有所述第二宽度，且所述导体层位于凹槽的宽度范围内，而所述顶盖层覆盖于所述导体层与基底层上。4.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述绝缘本体的材料为二氧化硅。5.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述绝缘本体大体为圆柱形。6.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述导体层的材料为钛。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋享金，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]