可降低启始电压偏移的薄膜晶体管结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其包含：一基板；一薄膜晶体管元件形成于该基板上；以及一保护层形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。通过提高形成氧化硅层时所使用的含硅气体量，同时降低形成氧化硅层时所使用的含氧气体量来增加氧化硅层内的悬浮键数，以降低保护层制程中，等离子体离子进入硅基板与栅极氧化层间接口的机会，而增加启始电压的均匀度。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术有关于一种薄膜晶体管的结构，且特别是有关于一种具有低启始电压偏移的薄膜晶体管结构。
技术介绍
集成电路技术上已经有提高元件构装密度的趋势。缩小元件的大小可达到大集成度的半导体集成电路。但是降低元件的大小，许多集成电路制造上的困难因而产生。在集成电路技术进步的今日，不只元件的尺寸日益缩短，而且单位晶元的元件聚集度亦愈来愈高，于是之故，制程更是日趋复杂，特别是关键着晶体管元件电流参数的启始电压值的大小。一般而言，均匀一致的启始电压对元件性能特别重要。对于一个晶体管元件而言，其栅极与底层硅基板间通常会以一个栅极氧化层(二氧化硅层，SiO2)加以隔离，其彼此间的键结关系如图1所示，在硅基板100与二氧化硅层102的界面间存有悬浮键104，此悬浮键104为相当不稳定的键结，当有外来原子时会被此键结抓住(trap)而影响原有的电性表现。尤其，最外一层的保护层采用等离子体化学气相沉积法，在此过程中，等离子体离子很容易进入硅基板100与二氧化硅层102的界面，而为悬浮键104所抓住，影响原先设定电性值的偏移，如启始电压的偏移。尤其当元件设计越来越小，硅基板100与二氧化硅层102的接口离金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其特征是该薄膜晶体管结构包含：　　　　一基板；　　　　一薄膜晶体管元件形成于该基板上；以及　　　　一保护层形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。

【技术特征摘要】
US 2004-6-24 10/876,0101.一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其特征是该薄膜晶体管结构包含一基板；一薄膜晶体管元件形成于该基板上；以及一保护层形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。2.如权利要求1项所述的薄膜晶体管结构，其特征是该富硅的氧化硅材料折射...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄坤铭，徐振富，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]