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本实用新型提供了一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其包含：一基板；一薄膜晶体管元件形成于该基板上；以及一保护层形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。通过提高形成氧化硅层时所使用的含硅气体量，同时降低形...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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