具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中一Ｎ型金属氧化物半导体场效晶体管包括有一置于一Ｐ型衬底内的第一Ｎ型嵌入层与一Ｐ型外延层；一Ｐ型场效晶体管包括有一置于该Ｐ型衬底内的一第二Ｎ型嵌入层与该Ｐ型外延层。该第一、第二Ｎ型嵌入层与该Ｐ型外延层提供了场效晶体管间的隔离。此外，多个置于该Ｐ型外延层中的分离Ｐ型区域更提供进一步的隔离效果；一第一间隙存在于一第一厚场氧化层与一第一Ｐ型区域间，用以提高该Ｎ型场效晶体管的击穿电压；一第二间隙则存在于一第二厚场氧化层与一第二Ｎ型阱间，用以提高该Ｐ型场效晶体管的击穿电压。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，尤指一种通过低压互补型金属氧化物半导体制造过程制造的具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)。
技术介绍
集成控制电路与驱动晶体管的技术已成为现今电源集成电路(Power IC)的发展趋势。因此，若能利用标准制造过程来制作晶体管器件，似乎是单片IC集成的较佳方案。然而，现今标准制造过程所制作的晶体管却是非隔离结构，其未经隔离的晶体管电流可能会在衬底中流动而对控制电路产生干扰；此外，该晶体管电流也可能产生地弹跳(ground bounce)，而影响控制电路的控制信号，因此非隔离结构的晶体管并不适用在这样的集成技术上。请参阅图1及图2所示，其为N型及P型金属氧化物半导体场效晶体管的电路示意图。由图中可知，该N型金属氧化物半导体场效晶体管(NMOS)10包括有一漏极20、一源极30与一栅极40；该P型金属氧化物半导体场效晶体管(PMOS)50包括有一漏极60、一源极70与一栅极80。请参阅图3所示，其为公知金属氧化物半导体场效晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｎ型金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于包括有：一Ｐ型衬底；一第一Ｎ型嵌入层与一Ｐ型外延层，于该Ｐ型衬底内形成；一具有Ｎ型导电离子的第一Ｎ型扩散区，于该第一Ｎ型嵌入层内形成一第一Ｎ型阱；一具有Ｐ型导电离 子的第一Ｐ型扩散区，于该第一Ｎ型阱内形成一第一Ｐ型区域；一具有Ｎ＋型导电离子的第一漏极扩散区，于该第一Ｎ型扩散区内形成一第一漏极区域；一具有Ｎ＋型导电离子的第一源极扩散区形成一第一源极区域，其中一第一沟道于该第一源极区域与该 第一漏极区域间形成；一具有Ｐ＋型导电离子的第一接点扩散区形成一第一接点区...

【技术特征摘要】
1.一种N型金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于包括有一P型衬底；一第一N型嵌入层与一P型外延层，于该P型衬底内形成；一具有N型导电离子的第一N型扩散区，于该第一N型嵌入层内形成一第一N型阱；一具有P型导电离子的第一P型扩散区，于该第一N型阱内形成一第一P型区域；一具有N+型导电离子的第一漏极扩散区，于该第一N型扩散区内形成一第一漏极区域；一具有N+型导电离子的第一源极扩散区形成一第一源极区域，其中一第一沟道于该第一源极区域与该第一漏极区域间形成；一具有P+型导电离子的第一接点扩散区形成一第一接点区域，其中该第一P型扩散区将该第一源极区域与该第一接点区域包围起来；一具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区，在该P型外延层内形成多个分离的P型区域以提供隔离特性；一第一薄栅氧化层与一第一厚场氧化层，形成于该P型衬底上；一第一栅极，置放于该第一薄栅氧化层与该第一厚场氧化层之上，用以控制该第一沟道内的电流量；一硅氧化绝缘层，覆盖于该第一栅极与该第一厚场氧化层上；一第一漏极金属接点，其具有一与该第一漏极扩散区相连接的第一金属电极；一第一源极金属接点，其具有一连接至该第一源极扩散区与该第一接点扩散区的第二金属电极；以及一第一间隙，存在于该第一厚场氧化层与该第一P型区域间，以提高该N型金属氧化物半导体场效晶体管的击穿电压。2.如权利要求1所述的该N型金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于位于该第一N型阱内的该第一P型区域是一P型阱。3.如权利要求1所述的该N型金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于位于该第一N型阱内的该第一P型区域是一P型基体...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志丰，简铎欣，林振宇，杨大勇，
申请(专利权)人：崇贸科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]