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本实用新型涉及一种具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中一Ｎ型金属氧化物半导体场效晶体管包括有一置于一Ｐ型衬底内的第一Ｎ型嵌入层与一Ｐ型外延层；一Ｐ型场效晶体管包括有一置于该Ｐ型衬底内的一第二Ｎ型嵌入层与该Ｐ型外延层。该第一、第二...
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