【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种振荡缓冲器，其特征在于，耦接一振荡源，该振荡源提供具有一预设频率的一预设波形给一核心电路，该核心电路具有多个操作在一核心电压的金属氧化物半导体晶体管，该振荡缓冲器包括：一反相器，耦接于该核心电压与一接地之间，用以放大来自该振荡源的一输入信号；其中，该反相器具有一或多个金属氧化物半导体晶体管，且该反相器的该金属氧化物半导体晶体管的栅极氧化层的厚度实质上等于该核心电路的该金属氧化物半导体晶体管的栅极氧化层的厚度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国基，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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