本发明提供一半导体集成电路装置的制造方法，包括：形成一第一阱于半导体基底中；提供一第一栅极结构于半导体基底上，且第一栅极结构延伸离开半导体基底，其中包括提供一应力源于第一栅极结构中，应力源提供一第一应力于第一阱中，且还包括提供一第一栅极...

本发明涉及一种具有鳍状体的半导体装置的制造方法，首先于基板上形成一图案化屏蔽，然后于基板内形成凹槽，并于凹槽中填入介电材料，之后将图案化屏蔽移除，并以一种或多种蚀刻工艺来内凹介电材料，其中前述蚀刻工艺的至少其中之一是用以移除沿着凹槽边墙...

提供一种与温度无关的固定参考电流的电路架构和方法，本发明实施例所公开的一固定转导偏压电路包括一压控电阻用以提供至一电流镜中的电流，上述电流镜降低其输出端的参考电流，通过提供一控制上述压控电阻的反馈电路，可获得一温度补偿电路，上述压控电阻...

本发明提供一种处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备，该处理晶片的方法包括：测量表示晶片翘曲量的数据；根据翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过用以夹持上述晶片的静电式晶片座将控制电压施加至晶片的相应位置；以及当在晶片上执行工艺...

本发明提供一种存储器电路。该存储器电路包括至少一存储器单元，用于存储一数据。该存储器单元耦接一字元线、一位元线、一反位元线、一第一电压线以及一第二电压线。该存储器电路包括一第一导电层，一第二导电层耦接该第一导电层，一第三导电层耦接该第二...

描述了堆叠集成芯片及其制造方法。在一个实施例中，形成半导体芯片的方法包括从第一衬底的顶面形成用于衬底通孔的开口。用绝缘衬垫对开口的侧壁加衬，并用导电填充材料来填充开口。从相对的底面开始蚀刻第一衬底以形成突起，突起被绝缘衬垫所覆盖。在突起...

本发明提供了一种用于快速检测缓存命中的系统和方法，用于具有错误校正／检测能力的存储系统。用于确定存储地址的当前缓存状态的电路包括连接至缓冲存储器的错误检测单元、连接至缓冲存储器的比较单元、连接至比较单元的结果单元以及连接至结果单元和错误...

本发明提供一种半导体元件及其制法。半导体基材具有一硅通孔，此硅通孔具有气隙介于硅通孔与半导体基材之间。形成一开口且此开口部分地穿过半导体基材。开口于其内侧形成第一衬层且被导电材料所填充。半导体基材的背侧被薄化以露出第一衬层，其随后被移除...

一种减少处理器电力损耗的方法以及系统。方法包括判断特殊逻辑方块何时为闲置的；判断特殊逻辑方块的功率状态；隔离特殊逻辑方块与主要处理器核心，并且停止供应至特殊逻辑方块的电力，并于系统需要特殊逻辑方块的时候，重新启动特殊逻辑方块，一系统实施...

提供了用于表征工艺变化的系统和方法。电路包括：多个反相器，配置为连续环路；以及多个选通门，每个选通门都连接在一对串联配置的反相器之间。每个选通门都包括：第一场效应晶体管（ＦＥＴ），具有第一沟通道；以及第二ＦＥＴ，具有第二通道。第一通道和...

本发明提供一种组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体。在该设备中，一腔体具有至少一端口，以将该腔体填充一气氛的极度洁净干空气（ＸＣＤＡ）或一惰性气体。一薄胶膜组装器设置于该腔体中。一真空紫外光（ＶＵＶ）光源，当该腔体填充该极度洁净干...

本发明公开了具有跟踪改进的ＳＲＡＭ写能力的功率的负电压发生器的集成电路结构，包括：静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元；第一电源节点，连接至ＳＲＡＭ单元，其中，第一电源节点被配置为向ＳＲＡＭ单元提供第一正电源电压；以及位线，连接至ＳＲＡＭ...

本发明涉及一种设计集成电路的方法，包括提供彼此相同的第一芯片和第二芯片。第一芯片和第二芯片中的每一个都包括基底层，基底层包括逻辑晶体管单元（ＬＴＵ）阵列。ＬＴＵ阵列包括彼此相同并且以行和列进行配置的ＬＴＵ。该方法还包括：连接第一芯片的基...

本发明披露了可编程晶体管阵列电路和方法，该电路包括：半导体衬底；以及多个基本晶体管单元（ＢＴＵ），以均匀间隔单元的行和列进行配置，ＢＴＵ还包括：ＰＭＯＳ晶体管单元（ＰＴＵ）、ＮＭＯＳ晶体管单元（ＮＴＵ）和虚拟晶体管单元（ＤＴＵ），每个Ｂ...

本发明是有关于一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其中叙述了使用激光接合堆叠半导体基板的方法和结构，在一具体实施方式中，形成一半导体元件的方法包含：形成一沟槽于一第一基板中，并形成一接合垫于一包含主动线路的第二基板上；此接合垫的上表面...

本发明提供一种在晶圆上形成掺杂层的方法，包括：提供一晶圆；供应一掺杂物气体于离子源的电弧室中；供应一稀释物以稀释掺杂物气体，上述稀释物包含约４８％至约５０％的氙分子和约５０％至约５２％的氢分子；从使用上述离子源的稀释的掺杂物气体产生一离...

本实用新型揭示一种适用于覆晶封装工艺的基材以及包含一反向漏斗形间隙的不沾焊料印刷网版。其中该基材包含一导电焊垫于基材上，以及一预上锡膏物，自该基材的导电焊垫上方伸出并逐渐变细成锥形。而该包含一反向漏斗形间隙的不沾焊料印刷网版，包含：一顶...

一种芯片载入埠的搬运装置，用以沿着一高架传输系统传送一芯片承载装置，芯片载入埠的搬运装置包括：一芯片载入埠，一轨道以及一机械手臂。轨道包括一水平组件以及一垂直组件，其中垂直组件包括一顶部，连接于水平组件，位于高架传输系统的一侧，以及一底...

一种锁固机构。为提供一种结构简单、拆组方便、使用寿命长的构架连接结构，提出本实用新型，它包括具有第一穿透孔的第一元件、位于第一元件之下并具有第二穿透孔的第二元件、导引座及固定销；第一、二元件上的第一、二穿透孔位于同一直线上；第一元件第一...

本发明涉及一种防止镶嵌式铜金属受损的方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底顶层为一绝缘层，在该绝缘层上具有至少一开口，在该绝缘层上顺应性形成一第一阻障层，在该第一阻障层上全面性形成一铜金属层，以该第一阻障层表面为终点，进行一化学机械研磨...