覆晶封装工艺的基材制造技术

本实用新型专利技术揭示一种适用于覆晶封装工艺的基材以及包含一反向漏斗形间隙的不沾焊料印刷网版。其中该基材包含一导电焊垫于基材上，以及一预上锡膏物，自该基材的导电焊垫上方伸出并逐渐变细成锥形。而该包含一反向漏斗形间隙的不沾焊料印刷网版，包含：一顶部开口，以及一大于顶部开口的底部开口。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关一种覆晶封装结构，特别是一种适用于覆晶封装工艺的基材以及包含一反向漏斗形间隙的不沾焊料印刷网版。以减少芯片与基材间的焊锡接点所含的二氧化硅填充料污染物。
技术介绍
随着高密度、高功率的电子构装的迫切需求，覆晶(Flip Chip)封装技术已被广泛使用于许多领域。如其名所意指，覆晶封装是将裸晶(bare die)以表面朝下的方式附着于基材(substrate)上，以行接合物的连接。然而，如所知，当使用有机材料为基材(organic substrate)时，热胀冷缩会产生于温度循环的接合物连接过程中。此热胀冷缩是由于有机基板的热膨胀系数(CTE；coefficient of thermal expansion)约为14-17ppm/℃)与硅芯片的CTE(约为4ppm/℃)差距过大。因此可知，CTE不匹配所引发的应力很容易导致接点损坏。因此，为减少连接产生的应力并增加可靠度，通常需要在基板与芯片的间隙内填入底胶。利用此法，可将应力分散至胶体，藉以降低接点所受到的应力。如此便可减少接点破裂(crack)，而延长接点的疲劳寿命。此外，上述底胶是绝缘物质，亦可防止接点间有杂质造成漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于覆晶封装工艺的基材，以减少位于一芯片与该基材之间的焊锡接点内的二氧化硅填充料污染，其特征在于包含：一导电焊垫于基材上；以及一预上锡膏物，自该基材的导电焊垫上方伸出并逐渐变细成锥形。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏昭源，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]