组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体技术

本发明专利技术提供一种组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体。在该设备中，一腔体具有至少一端口，以将该腔体填充一气氛的极度洁净干空气（ＸＣＤＡ）或一惰性气体。一薄胶膜组装器设置于该腔体中。一真空紫外光（ＶＵＶ）光源，当该腔体填充该极度洁净干空气或该惰性气体时，用以照射一光掩模固定于该薄胶膜组装器。在该方法中，以真空紫外光照射光掩模于一气氛的极度洁净干空气或惰性气体，以及当光掩模于该气氛的极度洁净干空气或惰性气体的环境且曝露在真空紫外光中，组装一薄胶膜于该光掩模上。本发明专利技术可降低或消除光掩模模糊，并且可降低晶片低良率的风险。光掩模在模糊污染物产生之前的耐久性也得以延长，还可降低工艺费用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及组装薄胶膜于光掩模上的方法和设备。
技术介绍
薄胶膜或光掩模为一精密的玻璃板，其包含电路布局以供半导体工艺使用。如果 任何的尘埃或污染颗粒沾附于薄胶膜上，此薄胶膜可导致额外的部件于印刷电路上。薄胶 膜为薄且透明的材料，组装于掩模或光掩模(reticle)上方的特定距离。此距离需选定，使 得在聚焦晶片时，该薄胶膜上的任何尘埃或颗粒会落于焦点之外。因此，任何落于薄胶膜表 面的外来颗粒都不会投影在晶片上，且不会导致于印刷缺陷。 即便是使用薄胶膜，仍有其他的因素会导致印刷缺陷。其中的一问题为光掩模模 糊污染物的生成。众所周知的是，光掩模模糊污染物的生成导因化学物质，S0X和NHX (如S02 和NH》，在光掩模的制作过程中形成，且与湿气反应所致。这些化学物质导源于从用于制作 光掩模的材料表面的脱附气体，湿式化学物质包括硫酸和双氧水，和/或源自处理光掩模 的杂质。当这些化学物质和湿气共存时，且曝露于紫外(UV)光(例如用于曝光图案晶片上 的光线)，因而生成硫酸铵晶体，进而导致光掩模模糊污染物生成。因此，每当光掩模曝露于 深紫外(DUV)光便增加造成光掩模模糊的晶体成长，进而导致光掩模寿命縮短。 为了延迟或避免形成光掩模模糊，晶片代工厂将光掩模储存于受控制的环境(如 储存于惰性气体的环境中)，并且采用"净化"程序以移除污染物。此净化程序通常是将该 光掩模置于氮气或极度洁净干空气(extreme clean dryair，简称XCDA)环境中。于上述两 环境中，都可自光掩模移除湿气和氨反应物，以避免形成光掩模模糊。例如，可于使用光掩 模于扫描曝光机之前或之后立即实施净化程序。 美国专利UA 6，593，034中公开一种薄胶膜框架，其包括两个气体通导开口。该 薄胶膜框架采用以将该光掩模与该薄胶膜之间空间的空气，取代以惰性气体，例如氮气、氦气、氩气或等性质的气体。该薄胶膜框架具有一对开口，以供通入惰性气体于上述空间中， 或将气体自上述空间中抽离。该开口具有过滤件，其可避免大的颗粒渗透。此配置可消除 在安装薄胶膜时造成模糊，然而光掩模模糊仍会在后续的使用过程中生成。 有鉴于此，业界亟需一种有效避免光掩模模糊方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术存在的上述问题，于本专利技术诸实施例中，一种组 装薄胶膜于光掩模上的方法，包括以一真空紫外光照射一光掩模于一气氛的极度洁净干 空气或一惰性气体；以及当光掩模于该气氛的极度洁净干空气或该惰性气体的环境且曝露 在真空紫外光中，组装一薄胶膜于该光掩模上。 于本专利技术诸实施例中，一种组装薄胶膜于光掩模上的设备，包括一腔体，具有至 少一端口，以将该腔体填充一气氛的极度洁净干空气或一惰性气体；一薄胶膜组装器于该 腔体中；一真空紫外光源，当该腔体填充该极度洁净干空气或该惰性气体时，用以照射一光掩模固定于该薄胶膜组装器。 于本专利技术诸实施例中，一种组装薄胶膜于光掩模上的组装体，包括一光掩模；一薄胶膜框架密封地贴附于该光掩模；以及一薄胶膜接合至该薄胶膜框架，形成一密封的围圈由该光掩模、该薄胶膜框架和该薄胶膜黏结，该密封的围圈内填充以一惰性气体，其中该组装体的形成方式包括以真空紫外光照射该光掩模于一气氛的极度洁净干空气或惰性气体；及在该气氛的极度洁净干空气或惰性气体环境中，密封该光掩模、该薄胶膜框架和该薄胶膜于一体。 本专利技术可降低或消除光掩模模糊，并且可降低晶片低良率的风险。光掩模在模糊污染物产生之前的耐久性也得以延长。由于可降低或消除光掩模模糊，因此也节省工艺时间，也避免频繁地光掩模重工(例如薄胶膜重组、再清洗、缺陷检测、关键维度(CD)测量)的需求，因此可降低工艺费用。 为使本专利技术能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明 图1和图2为显示组装一薄胶膜于一光掩模上的工艺示意 图3为组装薄胶膜于光掩模上的另一设备的结构配置示意图； 图4为显示组装薄胶膜于光掩模上的设备的结构配置示意图，其结构基本上相似于图3所显示的结构；以及 图5为显示将一薄胶膜组装于光掩模上的制造方法的流程示意图。上述附图中的附图标记说明如下 11 光掩模； 12 薄胶膜； 13 薄胶膜框； 14 黏结剂； 15 真空紫外(VUV)光； 16 月空亍本； 17 极度洁净干空气(XCDA)或惰性气体； 18、 19 端口 (port); 20 空气； 21 空间； 100、200 薄胶膜组装器； 101 控制器； 103 基体； 105、205 薄胶膜固定座； 107 光掩模固定座； 110 、210 组装设备； 111 光掩模； 112 薄胶膜； 113 薄胶膜框； 115、215 VUV光源； 116 腔体； 117 极度洁净干空气(XCDA)或惰性气体； H8、119 端口 (port); 120 空气； 500-510 工艺步骤。具体实施例方式以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例，作为本专利技术的参考依据。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的标记。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各元件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，图中未示出或描述的元件，为所属
中普通技术人员所知的形式，另外，特定的实施例仅为揭示本专利技术使用的特定方式，其并非用以限定本专利技术。 图1和图2为显示组装一薄胶膜12于一光掩模11上的工艺示意图，其中图1显示该薄胶膜12和薄胶膜框13位于光掩模11的上方，以准备将薄胶膜框13结合至该光掩模11。图2显示该光掩模11、该薄胶膜框13和薄胶膜12已结合成一体。 上述方法包括在一气氛的极度洁净干空气(XCDA)或惰性气体17环境下，以真空紫外(VUV)光15照射该光掩模11，并且当光掩模11于该气氛的极度洁净干空气(XCDA)或惰性气体17的环境且曝露在真空紫外光中，组装一薄胶膜12于该光掩模11上。 该光掩模11可由适当的透明材料制成，例如玻璃、石英或C&，在其上方形成不透明材料例如铬的图案。若该光掩模为相转移光掩模(phase-shiftinglayer)，则在铬层的下方提供一相转移层。在一些实施例中，该相转移层可包括任一组成，择自过渡金属元素、镧系元素及其任意组合。例如包括Mo、 Zr、 Ta、 Cr、和Hf。在一范例中，上述含金属层是由以下材料之一构成，MoSi、MoSiON或Cr。 上述薄胶膜12可为多种型式之一，例如由位于美国加州S皿nyvale的MicroLithography, Inc. (MLI)公司所贩售的Film 703深紫夕卜(DUV)光型胶膜，其对于193nm、248nm、和365nm波长的光具有高的穿透率。也可使用其他的薄胶膜，包括硝化纤维素(nitrocellulose)、氟碳树月旨(f luororesin)、由日本东京Asahi Glass Co. ， Ltd.公司制造的"CYT0P"树脂、由日本东京DuPontKabushiki Kaisha公司制造的"FL0N AF"树脂、塑胶树脂、合成石英玻璃及同性质之物，但不限定于上述材料。上述薄胶膜可形成的厚度范围约为2 ii m至5 ii m厚，然而上述厚度范围仅供举例说明，也可以使用其他的厚度实施。 —薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组装薄胶膜于光掩模上的方法，包括：以一真空紫外光照射一光掩模于一气氛的极度洁净干空气或一惰性气体；以及当光掩模于该气氛的极度洁净干空气或惰性气体的环境中且曝露在真空紫外光中，组装一薄胶膜于该光掩模上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林锦鸿，陈志成，何铭涛，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]