【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路的装置，且特别涉及一种系统用以改善磁性敏感部分的芯片和其封装的磁屏蔽护罩。
技术介绍
早在半导体集成电路存储芯片使用前，电脑是得利于磁性存储器的贡献。在手制电线里的电流，其磁场是利用铁环的磁状态储存二位数据。然而，当半导体集成电路可在很小的结构中以极高速储存庞大数据后造成磁性存储元件没落。最近的发展是将半导体和磁性数据储存技术结合，如在集成电路的存储器里有磁场随机储存存储器(Memory Random Access Memories，MRAMS)。MARMS是一种具有快速编程时间和高密度的非易失性存储器。当通过适当的设计，MARM为半导体集成电路提供了一个可行的替代方案。然而，这些磁性存储器易受到在需要大量电源和电流操作环境下所产生的时变磁场的影响。保护集成电路芯片不受磁场影响是相当重要的，特别是像磁性存储器元件。一个磁场可被视为由大量连续的场线所构成的封闭回路，它可以被磁场所牵制。这个磁场可以在墙和壳本身中，通过收集和集中外部磁场，来保护一个磁性敏感元件不受外界磁场的影响。换言之，一个磁屏蔽护罩可通过牵制回路或场线来保护磁性敏感元件...
【技术保护点】
磁屏蔽护罩元件，用以保护在基板上的至少一个磁性敏感部分，其特征是该元件至少包含：第一护罩具有顶部部分和一个或多个周边部分，其中该顶部部分和该周边部分沿着该基板四周包围该磁性敏感部分用以保护该磁性敏感部分不受外部磁场的影响；以及其中该磁屏蔽护罩元件至少包含了两个磁性屏蔽材料，其中一个有着相对较高的导磁性但较低的磁场饱和特性，另一个有相对较低的导磁性是较高的磁场饱和特性。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王昭雄，曾鸿辉，邓端理，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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