静电放电防护电路制造技术

本发明专利技术公开一种静电放电防护电路，适用于射频内部电路，其包括：至少一条传输线，串接于接合垫与射频内部电路之间，所述传输线的两端都具有节点；电源轨；以及ＥＳＤ单元，耦接于各节点与上述电源轨之间，包括至少一个静电放电单元；其中接近所述接合垫的所述静电放电单元可承受较高等级的静电放电应力。静电放电单元用以释放静电放电电流，并且传输线提供射频匹配。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电放电防护，特别涉及一种具有阻抗匹配的静电放电防护电路。
技术介绍
在人体放电模式(human body mode，HBM)静电放电(electrostaticdischarge，ESD)事件中，数百伏特的电压可在约为100纳秒的时间内从操作者传送至电路。这样的高电压传送可能会损坏位于电路的输入级的栅极氧化层，并且可能导致电路故障(circuit malfunction)。当栅极氧化层的厚度减少时，对栅极氧化层提供防护电路或装置是非常重要的。如图1所示，传统ESD防护设计是使用适用于数字集成电路(integratedcircuits，ICs)的两级(two-stage)防护结构。在输入初级ESD箝位(clamp)装置(primary stage)12以及次级(secondary stage)11之间加入电阻R以限制ESD电流流经次级中的短通道NMOS 11。电阻R的阻值取决于设置于初级ESD箝位(clamp)装置12的导通电压以及设置于次级中的短通道NMOS 11的次要崩溃电流。这样的两级ESD防护提供较高的ESD防护等级至数字输入接脚。然而，在ESD箝位装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电防护电路，具有阻抗匹配，包括：至少一条传输线，串接于接合垫与射频内部电路之间，所述传输线的两端都具有节点；电源轨；以及ＥＳＤ单元，耦接于各节点与上述电源轨之间，包括至少一个静电放电单元；其中接近所 述接合垫的所述静电放电单元可承受较高等级的静电放电应力。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柯明道，李健铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]