静电放电防护电路和集成电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
静电放电防护电路和集成电路
[0001 ] 本专利技术涉及一种静电放电防护电路及具有静电放电防护电路的集成电路，特别是 一种应用于具有上桥开关与下桥开关的直流电压转换器的静电放电防护电路。
技术介绍
通常，集成电路通常采用金属氧化物半导体型晶体管（M0S)作为其输入或输出元 件。尤其是对于直流电压转换器（DC-DC Converter)，通常包括串接在一外部电源与一连 接节点之间的一上桥M0S晶体管及串接在该连接节点与地之间的下桥M0S晶体管，该上桥 M0S晶体管与该下桥M0S晶体管之串接结构作为该直流电压转换器的输出单元。为了防止 集成电路受到静电损害，通常，都需要设置包括电源钳位元件（POWER CLAMP)、I/O端ESD防 护元件及多重电源保护元件的ESD防护单元。其中，I/O端ESD防护元件用于限制输入/输 出垫（I/O Pad)上的电压低于导致输出单元失效的电压水平。然而，当ESD防护元件与上 桥M0S晶体管或下桥M0S晶体管并联时，受M0S晶体管产生的较大寄生电容的影响导致当 静电发生时M0S晶体管先于该ESD防护元件导通从而对M0S晶体管造成损害。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种静电放电防护电路及具有该静电放电防护电路的集成 电路，以避免因静电而损坏元件。 -种静电放电防护电路，该静电放电防护电路应用于直流转换器的输入/输出 口，该直流转换器包括串联的上桥开关与下桥开关，该静电放电防护电路与该直流转换器 形成于一集成电路上，该静电放电防护电路包括： 第一静电防护元件的栅极与该上桥开关的栅极连接...
【技术保护点】
一种静电放电防护电路，该静电放电防护电路应用于直流转换器的输入/输出口，该直流转换器包括串联的上桥开关与下桥开关，该静电放电防护电路与该直流转换器形成于一集成电路上，该静电放电防护电路包括：第一静电防护元件的栅极与该上桥开关的栅极连接；第二静电防护元件的栅极与该下桥开关的栅极连接；当静电发生时，该第一、第二静电防护元件不迟于该上桥开关及下桥开关导通。
【技术特征摘要】
2013.08.15 TW 1021292271. 一种静电放电防护电路，该静电放电防护电路应用于直流转换器的输入/输出口， 该直流转换器包括串联的上桥开关与下桥开关，该静电放电防护电路与该直流转换器形成 于一集成电路上，该静电放电防护电路包括： 第一静电防护元件的栅极与该上桥开关的栅极连接； 第二静电防护元件的栅极与该下桥开关的栅极连接； 当静电发生时，该第一、第二静电防护元件不迟于该上桥开关及下桥开关导通。2. 如权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于，该直流转换器还包括与上桥 开关电连接的第一前驱动器及与下桥开关电连接的第二前驱动器；该第一前驱动器用于控 制该上桥开关的导通与关断；该第二前驱动器用于控制该下桥开关的导通与关断。3. 如权利要求2所述的静电放电防护电路，其特征在于，该第一前驱动器与该第二前 驱动器相互配合以控制该上桥开关及下桥开关交替导通。4. 如权利要求2所述的静电放电防护电路，其特征在于，该上桥开关及该下桥开关为 NMOS。5. 如权利要求4所述的静电放电防护电路，其特征在于，该上桥开关的栅极与该第一 前驱动器电连接，该上桥开关的漏极与直流电源电连接，该...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晋荣，郑志男，
申请(专利权)人：天钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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