制造微电子装置的方法及应用此方法的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术是有关于一种制造微电子装置的方法及应用此方法的半导体装置。该制造微电子装置的方法包括以下步骤：形成多个凹陷的浅沟渠隔离特征于半导体基材中，定义半导体区于该些凹陷的浅沟渠隔离特征的相邻二者间；形成穿隧介电特征于半导体区内；形成氮化物层于该些凹陷的浅沟渠隔离特征及穿隧介电特征上；蚀刻氮化物层，形成多个氮化物开口于该些凹陷的浅沟渠隔离特征内；通过该些氮化物开口部分地移除该些凹陷的浅沟渠隔离特征，产生介于氮化物层及该些凹陷的浅沟渠隔离特征间的多个间隙；及形成第一介电材料于氮化物层的多个表面，密封该些氮化物开口。该半导体装置包括：凹陷的浅沟渠隔离特征：穿隧氧化物特征；氮化硅层；及氧化硅层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法，特别是涉及一种非平面型 半导体存储器(存储器即记忆体，以下均称为存储器)装置及其制造方法。
技术介绍
在集成电路(Integrated Circuit; IC)装置中，目前的非平面型与非门 (NAND)存储器架构是使用凹陷的浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation; STI)来形成类鳍式场效晶体管(FinFET-Like)存储器单元，藉以 克服平面型与非门存储器中超越45纳米技术节点的尺度障碍(Scaling Barrier)。然而，类鳍式场效晶体管单元中的氮化物储存层与浅沟渠隔离的 氧化物材料接触，当氮化物储存层正在导电时，会增加电荷维持的考量。由此可见，上述现有的类鳍式场效晶体管存储器单元及其制造方法在 产品结构、方法及使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改 进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但 长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切 的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因 此如何能创设一种新的制造微电子装置的方法及应用此方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造微电子装置的方法，其特征在于其至少包括以下步骤：　形成多数个凹陷的浅沟渠隔离特征于一半导体基材中，并定义一半导体区于该些凹陷的浅沟渠隔离特征的相邻二者间；　形成一穿隧介电特征于该半导体区之内；　形成一氮化物层于该些 凹陷的浅沟渠隔离特征及该穿隧介电特征上；　蚀刻该氮化物层，以形成多数个氮化物开口于该些凹陷的浅沟渠隔离特征内；　通过该些氮化物开口来部分地移除该些凹陷的浅沟渠隔离特征，而产生介于该氮化物层及该些凹陷的浅沟渠隔离特征间的多数个间隙 ；以及　形成一第一介电材料于该氮化物层的多数个表面，并密封该些氮化物开口。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：许俊豪，谢佳达，吴俊沛，李俊鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]