一种半导体工艺设备及其Ｏ形环，该设备用以对一晶片实施工艺，包括一晶座以及一Ｏ形环。晶座包括一晶座本体、一流体供应单元以及一承载元件，该承载元件设于该晶座本体之上，该晶片置于该承载元件之上，该流体供应单元设于该晶座本体之中，并对该晶片提供...

本发明提供一种裸片堆叠密封结构的形成方法。该方法包括如下步骤：多个裸片分别接合至晶片的第一表面上的多个半导体芯片之一。在多个裸片及晶片的第一表面上形成有封装结构。封装结构覆盖该晶片的中心部分的第一表面，并露出该晶片的边缘部分。保护材料则...

本发明提供一种半导体元件的制造方法，此制造方法包括如下步骤：提供一半导体基材，该半导体基材包括：导电层；介电衬层；保护层；以及光致抗蚀剂层，且该保护层具有第一开口暴露该保护层的一部分；利用光致抗蚀剂层作为掩模，蚀刻该保护层的暴露部分，以...

本发明提供一种内连线结构与其形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供一介电层；形成一金属线于该介电层中；以及形成一复合蚀刻停止层，其中形成该复合蚀刻停止层包括：形成一底部蚀刻停止层于该金属线与该介电层之上；以及形成一顶部蚀刻停止层于该底部...

本发明公开了一种超薄晶片加工处理的方法及薄晶片加工处理的产品，该方法包括下列步骤：提供一晶片，其具有多个半导体芯片，该晶片具有一第一侧以及一第二侧；使多个裸晶附着于该晶片的该第一侧，其中所述多个裸晶的其中之一接合于所述多个半导体芯片的其...

本发明公开一种半导体工艺，包括在以一保护层进行封胶的薄化晶片的边缘处形成一支撑结构。支撑结构可为围绕保护层的一粘着层、埋入于薄化晶片并围绕保护层的填有介电材料的沟槽、或是固定薄化晶片边缘的外罩。

一种使用字线过度驱动和高ｋ金属栅极提升磁性隧道结的编程电流的方法，包括：设置ＭＲＡＭ单元，其包括磁性隧道结（ＭＴＪ）器件；以及选择器，包括串联至ＭＴＪ器件的源极－漏极路径。该方法还包括向选择器的栅极施加过度驱动电压以导通选择器。

本发明提供了用于蚀刻衬底的方法。该方法包括：在衬底上形成图样化感光层；对衬底施加蚀刻化学流体，其中，所述图样化感光层包括粘合增进剂和／或疏水添加剂；去除蚀刻化学流体；以及去除抗蚀剂图样。

本发明公开了连接至差分信号信道链路的串行接收机中用于执行自适应频率补偿的电路和方法。在示例性实施例中，提供了包括线性均衡功能、用于串行信道链路上信号的接收机。数据恢复电路连接至接收机的输出并接收频率补偿模拟信号。数字反馈控制电路观测数字...

本发明提供了用于诊断集成电路中的故障的系统和方法。在一个实施例中，该装置包括与缓冲器链串联连接的诊断单元。诊断单元包括多个逻辑运算器，当被激活时，使从缓冲器链接收的信号反相。使来自缓冲器链的信号的反相允许诊断单元通过用于测试方法的扫描链...

本发明为一种集成电路结构，包含半导体基板、聚亚酰胺层、凸块下金属层、第一焊接凸块以及第二焊接凸块，其中聚亚酰胺层位于半导体基板之上；凸块下金属层包含第一区块与第二区块，其中第一区块位于聚亚酰胺层之上，第二区块与聚亚酰胺层位于同一平面；第...

本发明公开一种用于硅通孔的阻挡件。一个实施例包括在衬底中形成开口。衬垫形成在开口中，并且包含碳或氟的阻挡层沿开口的底部和侧壁形成。晶种层形成在阻挡层的上方，并用导电填物填充ＴＳＶ开口。另一实施例包括使用原子层沉积形成的阻挡层。

本发明提供了一种用于形成金属栅极晶体管的方法。该方法包括：用第一溶液清洗扩散势垒，第一溶液包括至少一种表面活性剂，第一溶液的表面活性剂的量约为临界胶束浓度（ＣＭＣ）以上。用第二溶液清洗扩散势垒，第二溶液具有物理力以去除扩散势垒上方的颗粒...

本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置。在一实施例中，此方法包含在一基板上形成半导体氧化层以及在半导体氧化层上形成一金属氧化物层。将半导体氧化层与金属氧化物层转化成一第一介电层。在第一介电层上沉积第一电极层。

本发明提供一种先进工艺控制方法和装置，所述方法包括：将第一变数设定为初始值；将第二变数设定为初始值；在先进工艺控制的控制下，根据第一和第二变数的每一个的函数来操作工具；测量第一和第二参数，其中第一和第二参数是不同的，并且有关于工具的操作...

一种用于ＲＦＩＤ应用的持续ＩＤ标签的系统和方法包括用于操作ＲＦＩＤ标记的方法。该方法包括：针对ＲＦＩＤ标签测量电源电压的电压电势，以及如果电压电势大于第一阈值，则接通将存储单元连接至用于读取或写入数据的数据线的通过门。还测量在存储单元上...

一种适于晶片的化学汽相淀积工艺的半导体炉。该炉包括热反应室，其具有顶部、底部、侧壁和用于可移动地保持批量垂直堆叠的晶片的内部腔。提供了加热系统，包括多个可旋转的加热器，其设置并运行以加热该室。在一个实施例中，侧壁加热器之间的间距是可调整...

本发明公开一种集成电路结构，包括一基底；一沟道层，位于基底上方，其中沟道层由一第一三五族化合物半导体材料所构成；一高掺杂半导体层，位于沟道层上方；一栅极介电层，穿过并接触高掺杂半导体层的一侧壁；以及一栅极电极，位于栅极介电层的一底部。栅...

本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该方法包括以下步骤：提供一具有上表面的半导体基材；形成一开口，从半导体基材的上表面延伸至半导体基材中；进行一第一沉积步骤，以将一第一介电材料填充至开口中；凹陷第一介电材料；进行一第二沉积步骤，以将...

本发明提出一种集成电路的制造方法及在晶片上产生激光标记的装置，该方法包括：提供一晶片；测量一晶片的一反射率值；通过该反射率值而决定用于激光标记该晶片的一最佳能量程度；以及发射具有该最佳能量程度的一激光，以于该晶片上产生激光标记。本发明的...