本发明提供一种于铜柱结构之上形成良好粘着性的介金属化合物的柱状结构的形成方法与柱状结构及倒装芯片接合结构。该方法包括沉积铜以形成铜柱层；沉积扩散阻挡层于铜柱层之上；沉积铜盖层于扩散阻挡层之上，其中于铜盖层与扩散阻挡层之间形成介金属化合物...

本发明提供一种去嵌入的方法和装置，该方法包括：形成具有待测元件的受测结构，待测元件嵌入受测结构之内，受测结构具有多个左测试焊盘和多个右测试焊盘，右测试焊盘和左测试焊盘耦接待测元件，待测元件将受测结构分成左半结构和右半结构，每一左半结构和...

本发明提供一种具有温度补偿的电压参考电路，该电路包括：一电源；一参考电压；一第一ＰＭＯＳ晶体管，具有一源极连接到该电源；一第二ＰＭＯＳ晶体管，具有一源极连接到该电源，且一栅极与一漏极连接到该第一ＰＭＯＳ的该栅极；一第一ＮＭＯＳ晶体管，具...

本发明公开了一种内容定址存储器及其设计方法，该静态内容定址存储器（ＣＡＭ）包括多个项目Ｅ。每个包括多个ＣＡＭ单元Ｂ与一总合Ｓ。每个ＣＡＭ单元Ｂ关联一存储单元Ｍ与一比较器Ｃ。通常，ＣＡＭ接收查表数据线的ｉ个输入。当接收数据，存储单元Ｍ提供...

本发明提供一种测量电阻值的方法及电路，该电路包括：一第一子电路，用以接收一输入电压，并产生一第一电压与一第二电压，该第一电压产生流经一电阻性装置的一第一电流，而该第二电压产生该第二电流；一节点，电性耦接至该电阻性装置，并具有一第三电压，...

本发明提供一种非易失性存储器单元，上述非易失性存储器单元包括一磁铁（３０）、一铁磁性开关元件（２４）和加热元件（２６）。上述非易失性存储器单元具有低电阻的一设定位置和具有高电阻的一重新设定位置。可利用对开关元件（２４）施加一磁场，以设定...

本发明提供一种薄晶片处理结构及薄晶片接合及剥离的方法，该薄晶片处理结构包含一半导体晶片；一剥离层，其可由施予能量予以剥离；一粘着层，其可由一溶剂予以移除，其中此剥离层由涂布或压合方式施加在载材上，此粘着层以涂布或压合方式施加在此半导体晶...

本发明一实施例提供一种集成电路结构的形成方法，包括：提供一半导体晶片，包括一第一刻痕，自该半导体晶片的一边缘延伸进入该半导体晶片；以及将一承载晶片设置于该半导体晶片之上，其中该承载晶片包括一第二刻痕，位于该承载晶片之中，且其中将该承载晶...

本发明提供一种金属栅极晶体管、集成电路、系统以及其制造方法，此方法包括：在基底上方的介电材料内形成开口，在开口内与基底上方形成栅极介电结构，在开口内与栅极介电结构上方形成功函数金属层，并且在功函数金属层上方形成硅化物结构。本发明的金属栅...

本发明提供一种降低用于高介电常数介电质和金属栅极堆叠结构的界面层厚度的方法。上述方法包括于一半导体基板的上方形成一界面层；回蚀刻上述界面层；于上述界面层的上方沉积一高介电常数材料；于上述高介电常数材料的上方形成一金属栅极。上述界面层可包...

一种集成电路、系统与模拟信号转换至数字信号的方法，其中集成电路用以转换一模拟信号成为至少一数字信号，包括第一输入端、第一组（２ｎ－１）个反相器与第一加法器。第一输入端用以接收一第一模拟信号。第一组（２ｎ－１）个反相器用以量化该第一模拟信...

一种参考电压调节器，用于一ｅＤＲＡＭ中，使其以一参考电平进行ＶＳＳ感测，其中一振荡器用以在存取之间传送取样与校正请求至一控制区块，该控制区块用以传送一脉冲，该脉冲用以定义一脉冲产生器进行取样与校正的时间长度，一参考产生器用以提供该参考电...

本发明揭露一种集成电路结构，包含有第一栅极条，位于第一栅极条侧壁的栅极间隙壁，与接触蚀刻终止层（ＣＥＳＬ），其具有低于栅极间隙壁的顶面的底部分。其中栅极间隙壁的一部分侧壁并没有接触蚀刻终止层形成于之上。

本发明公开了一种硅通孔（ＴＳＶ）结构及其形成工艺。半导体衬底具有前表面和后表面，并且ＴＳＶ结构被形成为延伸穿过半导体衬底。ＴＳＶ结构包括金属层、围绕金属层的金属晶种层、围绕金属晶种层的阻挡层以及形成在金属层和金属晶种层之间夹置的部分中的...

一种静态随机存取存储器阵列包括一第一、第二ＳＲＡＭ单元，上述第一ＳＲＡＭ单元具有一第一读取端口和一第一写入端口；上述第二ＳＲＡＭ单元具有一第二读取端口和一第二写入端口。上述第一、第二ＳＲＡＭ单元位于相同的行并且沿着行方向排列。一第一字元...

本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极...

本发明公开了一种电子元件及其制法、电子系统，该电子元件的制法包括为了保护金属层间介电层（ＩＭＤ），特别是低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介电层，于底下硅基材中蚀刻一沟槽（ｔｒｅｎｃｈ）之前，于金属层间介电层（ＩＭＤ）中形成一保护薄膜于一开口（ｏ...

本发明涉及一种感测放大器及其操作方法，该感测放大器具有一对晶体管（例如：晶体管Ｐ２与晶体管Ｐ３）用以在适切的状况条件下，致使在数据线ＤＬ与数据线ＤＬＢ上的数据直接预设在感测放大器的内部节点（例如：节点Ｓ与节点ＳＢ），从而可予以进行数据的...

一种电平移位器，包括具有第一输出节点以及第二输出节点互为互补的闩锁器。第一预充电晶体管具有耦接于正电源供应节点以及第一输出节点之间的源－漏通道。第二预充电晶体管具有耦接于正电源供应节点以及第二输出节点之间的源－漏通道。电平移位器还包括在...

本发明提供集成电路结构。上述集成电路结构包括一基底及一通道位于该基底之上。该通道包括由ＩＩＩ族元素和Ｖ族元素所构成的一第一ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体材料。一栅极结构设置于该通道上。一源极／漏极区域邻接该通道，以及该源极／漏极区域包括一ＩＶ...