电子元件及其制法、电子系统技术方案

本发明专利技术公开了一种电子元件及其制法、电子系统，该电子元件的制法包括为了保护金属层间介电层（ＩＭＤ），特别是低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介电层，于底下硅基材中蚀刻一沟槽（ｔｒｅｎｃｈ）之前，于金属层间介电层（ＩＭＤ）中形成一保护薄膜于一开口（ｏｐｅｎｉｎｇ）的侧壁。蚀刻沟槽之后，例如借由使用四甲基氢氧化铵（ＴＭＡＨ）的湿式蚀刻工艺，移除至少一部分的保护薄膜。于一各向异性（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）蚀刻工艺中移除保护薄膜，留下一部分的保护薄膜作为金属层间介电层（ＩＭＤ）中的开口侧壁的侧壁间隙壁（ｓｉｄｅｗａｌｌ?ｓｐａｃｅｒ）。本发明专利技术可以消除或降低对介电层的伤害与避免介电层的脱层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电子元件的制法，包括：形成一电子零件于一基材上；形成一内连线层于该电子零件上，其中该内连线层至少包括一介电层；形成一开口于该内连线层中且暴露该基材的一部分；沿着该开口的侧壁与于该基材之上沉积一薄膜；形成一开口于该薄膜中，以暴露该基材的一部分；形成一深沟槽于该基材中；以及移除至少一部分的该薄膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪彬原，黄松辉，蔡闻庭，陈殿豪，谢暻椲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]