参考电压调节器制造技术

一种参考电压调节器，用于一ｅＤＲＡＭ中，使其以一参考电平进行ＶＳＳ感测，其中一振荡器用以在存取之间传送取样与校正请求至一控制区块，该控制区块用以传送一脉冲，该脉冲用以定义一脉冲产生器进行取样与校正的时间长度，一参考产生器用以提供该参考电平至一比较器，而该比较器将该参考电平与该参考电压输出的取样值进行比较，该比较器用以决定该参考电压输出是否需要校正，并依照其决定传送一校正请求至一脉冲产生器，该脉冲产生器用以依据该比较器发出的该校正请求产生一校正脉冲至一驱动器，而该驱动器用以调整该校正脉冲期间的参考电压输出。本发明专利技术能够在ｅＤＲＡＭ中产生准确参考电压电平。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体涉及用于嵌入式动态随机随取存储器(eDRAM)的参考电压调节器，更 涉及使eDRAM进行VSS感测时能产生精确的参考电压电平。
技术介绍
欲达成快速的感测，并允许在较短的时间周期进行操作，仅使用电平为VDD —半 的参考电压是不够的。唯在感测放大器的晶体管上使用大漏源电压(Vds)方能达成快速的 感测。解决的方法包括视存储器单元存取晶体管的形态分别采用VSS感测或采用VDD感 测。例如，η型存取装置可采用VSS感测。当采用VSS感测时，需要一接近VSS的稳定参考 电平。有两种公知方法可产生该参考电平使用模拟调节器或使用参考单元。各个方法皆 有其优点及缺点。模拟的推拉电压调节器(push-pull voltage regulator)所使用的产生器占用相 对小的面积。然而，大的电压调节(dV/dl)需要大的储能电容(reservoircapacitor)以补 偿参考电平的涟波。通过改善模拟调节器的响应，可将参考电平的涟波最小化，但其主要得 靠增加待机电流才能达成。模拟调节器另外的问题则是在于如何产生接近VSS的稳定电平。传统使用参考单元的感测架构的阵列常需要增加额外的面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种参考电压调节器，用于一嵌入式动态随机随取存储器ｅＤＲＡＭ中，使其以一参考电平进行ＶＳＳ感测，包括：一振荡器；一控制区块；一参考产生器；一比较器；一脉冲产生器；一驱动器；以及一参考电压输出；其中该振荡器用以在每次对该ｅＤＲＡＭ进行存取之间传送取样与校正请求至该控制区块，该控制区块用以传送一脉冲，该脉冲用以定义该脉冲产生器进行取样与校正的时间长度，该参考产生器用以提供该参考电平至该比较器，而该比较器将该参考电平与该参考电压输出的取样值进行比较，比较器用以决定该参考电压输出是否需要校正，并依照其决定传送一校正请求至该脉冲产生器，该脉冲产生器用以依据该比较器发出的该校正请求产生一校正脉冲至该驱动器...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德努莫，史奇罗曼诺夫斯基，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]