本发明提供一种半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法。此方法包含对一基材进行一第一蚀刻工艺来移除在该基材上的多晶硅层及金属层；对该基材使用一稀释的氢氟酸来移除高分子残余物；随后对该基材使用一包含盐酸、过氧化氢及水的清洁溶液；进行一含有稀释盐...

集成电路结构包括：半导体晶片；在半导体晶片里的集成电路器件；和在半导体晶片的上表面上的并且连接到集成电路器件的多个测试焊点。测试焊点成对分组，在同一对中的测试焊点相互连接。

本发明提供一种半导体元件及其制法，其中此元件包括一半导体基材，一晶体管形成于基材之中，晶体管具有一高介电常数介电层形成于基材之上，从高介电常数介电层的一侧壁测量到另一侧壁，其具有一第一长度，以及一金属栅极层形成于高介电常数介电层之上，且...

本发明揭示一种半导体产品级别控制的方法，应用于制造集成电路元件，其中，产品级别与集成电路所呈现一种或多种特性有关，半导体产品级别控制的方法包括：对多个晶片批次，执行多个工艺；决定所需产品级别数量、现有产品级别数量与生产中产品级别数量；将...

本发明提供一半导体装置及其制造方法，该装置包含一半导体基材及一形成于该基材中的晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属栅极的栅极堆叠，一密封层形成于该栅极堆叠的侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该栅极堆叠...

本发明提供一适应性电压偏压控制系统及集成电路。该集成电路包括一频率检测器耦接一逻辑电路；一供应电压调节器耦接该频率检测器，用以依照自该频率检测器来的一频率错误而提供一适应性电压供应至该逻辑电路；以及一基体偏压调节器耦接该频率检测器，用以...

本发明提供一种半导体装置，包含一半导体基质；一形成于基质中的隔离结构，由第一材料形成，用以隔离基质中的有源区；一形成于基质中的有源区中的有源装置，此有源装置具有高介电常数介电质及金属栅极；以及一形成于隔离结构中的无源装置，此无源装置由与...

本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供具有一第一有源区与一第二有源区的一半导体基底；形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；形成一上盖层于该高介电常数介电层上；形成一第一金属层于该上盖层上，其中该第一金属层具有第一功函数；形成一...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含提供具有第一及第二有源区域的半导体基材，在半导体基材上形成高介电常数介电层，在高介电常数介电层上形成具有第一功函数的第一金属层，移除在第二有源区域中的部分的第一金属层，在第一有源区域的第一金属层及...

一种发光二极管装置及其形成方法。该发光二极管装置具有一下发光二极管层、一上发光二极管层、以及一发光层配置于该上层及该下层之间。一电流阻挡层形成于该上发光二极管层内，以至于使电流通过一接触该上发光二极管层的电极流入该上层时，电流沿着该电流...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。此方法包含形成一栅极介电层于一半导体基材上，形成一盖层于栅极介电层之上或之下，形成一金属层于盖层上，金属层具有一第一功函数，对部分的金属层进行处理，以使该部分的金属层的功函数由第一功函数转变为第二功函...

本发明公开了一种可提供用于检测存储器的大指令集又能降低面积开销的系统。这种用于检测集成电路的存储器的系统包括：一组寄存器，提供用于多个检测的基于要素的可编程性，即一个检测可以一个要素一个要素的编程，其中各个检测包括多个检测要素；一个有限...

本发明公开了一种用于提供改进的功函数值和热稳定性的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的界面电介质层；位于界面电介质层之上的高ｋ值栅电介质层；以及位于高ｋ值栅电介质层之上的掺杂导电金属氧...

本发明公开一种半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法，其中该方法包括：于一半导体基底上形成一高介电常数介电材料层；于该高介电常数介电材料层上形成一第一金属层；于该第一金属层上形成一硅层；图案化该硅层、第一金属层及高介电常数介...

本发明是有关于一种混合式多层光罩组及其制造方法，其可对半导体基材的层结构进行曝光，以制造集成电路元件。这些层结构至少区分为第一子集和第二子集。混合式光罩组包含多层光罩以及投产光罩。多层光罩包含多个图案以及间隙，这些图案彼此不同以分别对应...

本发明提供一种形成电路结构的方法，包含提供一基板；形成数个凹槽于该基板；形成一掩模层于该基板上，其中该掩模层覆盖该基板非凹陷的部分，使得该掩模层上的开口露出该凹槽；形成一缓冲／成核层于该凹槽内所露出的基板部分；以及，由该凹槽成长一ＩＩＩ...

本发明一实施例提供一种电路结构，该电路结构包括：基底，包括较高部分及较低部分；图案化掩模层，位于基底的较高部分上，且与较高部分直接接触，图案化掩模层包括多个间隔；缓冲／成核层，沉积于基底之上，且位于图案化掩模层的间隔之中；以及三－五族化...

一种制造半导体元件的方法及半导体元件，该方法包括：形成一高介电常数介电层于一半导体基底上；形成一第一金属层于该高介电常数介电层上；形成一第二金属层于该第一金属层上；形成一第一硅层于该第二金属层上；注入离子进入覆盖该基底的一第一区的该第一...

本发明提供一种进行化学机械研磨的方法，包括：加工一半导体基板，以于该基板上形成一虚置栅极结构，于该虚置栅极结构上形成一硬掩模，以及于该硬掩模上形成一层间介电层；以一第一研磨浆进行一第一化学机械研磨工艺，以修饰该层间介电层其非平坦的起伏表...