发光二极管装置及其形成方法制造方法及图纸

一种发光二极管装置及其形成方法。该发光二极管装置具有一下发光二极管层、一上发光二极管层、以及一发光层配置于该上层及该下层之间。一电流阻挡层形成于该上发光二极管层内，以至于使电流通过一接触该上发光二极管层的电极流入该上层时，电流沿着该电流阻挡层四周流动。当该电流阻挡层配置于该电极及该发光层之间，该发光层所发出的光不会被该电极所阻碍，且该发光二极管装置具有增加的发光效率。该电流阻挡层可通过转换部分的上发光二极管层成为一具有电阻阻抗的区域来形成。在一实施例中，将离子（可例如为镁、碳、或硅离子）注入进入该上发光二极管层，以形成该电流阻挡层。本发明专利技术既提高发光二极管的发光效率，还提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，且特别涉及一种形成发光二极管装置的方法。
技术介绍
利用电流在p-n结所产生的电子及空穴辐射性再结合，可产生电磁辐射 (例如光)。在从直接能隙材料(例如GaAs或GaN)制造的正偏压的p-n结， 该注入耗尽区的电子空穴再结合产生电磁辐射的射出。该电磁辐射可以在可 见光的范围内，或是在非可见光的范围内。使用具有不同能隙的材料也可产 生出具有不同发光颜色的发光二极管。此外， 一发光二极管发出具有特定波 长范围的电磁辐射时，表示可利用一荧光体来吸收所述辐射，并发射出一种 或多种不同的波长的辐射。因此，举例来说， 一发光二极管发出非可见光时， 可利用 一荧光体将该非可见光转换成一可见光。一般来说，发光二极管结构具有一发光层形成于一下层及一上层间，其 中该上层及该下层具有相反型态的导电性质。电极被形成来与该下层及该上 层接触。流经该电极与发光层间的电流采用最少电阻的路径来流动。在许多 的发光二极管组态中，该上电极直接配置于该发光层之上，而发光层所发出 的光则会被该上电极所阻碍而被遮蔽，因此大幅降低该发光二极管的发光效 率。一用来解决该上电极阻光影响以增加发光效率的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管装置，包含：　一基板；　一发光二极管结构形成于该基板之上，该发光二极管结构包含一上层、一下层、以及一发光层配置于该上层及该下层之间；以及　一电流阻挡层形成于该上层之内，其中该电流阻挡层包含一具有被注入杂质的电 阻材料区域。

【技术特征摘要】
US 2008-8-18 61/089,823;US 2009-8-12 12/539,7571.一种发光二极管装置，包含一基板；一发光二极管结构形成于该基板之上，该发光二极管结构包含一上层、一下层、以及一发光层配置于该上层及该下层之间；以及一电流阻挡层形成于该上层之内，其中该电流阻挡层包含一具有被注入杂质的电阻材料区域。2. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该被注入的杂质包含镁、 碳、或硅离子，被注入或扩散至该上层中。3. 如权利要求1所述的发光二极管装置，还包含一第一电极及一第二电 极配置于该基板的第一侧，其中该第一电极与该上层接触，且该第二电极与 该下层接触。4. 如权利要求3所述的发光二极管装置，其中该第一电极配置于该电流 阻挡层的上方。5. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该上层包含一第一层及一 第二层，而该电流阻挡层形成于该第一层之内，且该第二层形成于该电流阻 挡层的上方。6. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该电流阻挡层具有一宽度 介于50A至500um之间。7. —种形成发光二极管装置的方法，包含 提供一基板；形成一发光二极管结构于该基板的第一侧上，其中该发光二极管结构具 有一下层形成于该基板之上、 一有源层形成于该下层之上，以及一上层形成 于该有源层之上；以及利用注入杂质方式形成一电流阻挡层于该上层之内。8. 如权利要求7所述的形成发光二极管装置的方法，其中形成该发光二 极管结构的步骤包含-形成一第一上层于该有源层之上，及形成一第二上层于该第一上层之 上，其中形成该电流阻挡层的步骤在形成该第一上层的步骤后，以及在形成 该第二上层的步骤前。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鼎元，余振华，邱文智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]