一种半导体元件的制造方法，包括提供基底，依序形成高介电常数层及半导体层，移除部分半导体层，其在第一区及第二区分别具有第一及第二厚度，形成硬掩模层，将硬掩模层、半导体层、及高介电常数层图案化以于第一区及第二区分别形成第一栅极结构及第二栅极...

一半导体存储器元件，包含有一第一晶体管、一第二晶体管、一源极、一程序化用栅极电极、以及一偏压电路。该第一晶体管具有一浮动栅极。该第二晶体管具有一浮动栅极。该源极为该第一与第二晶体管所共用。该程序化用栅极电极为该第一与第二晶体管所共用，该...

一种半导体装置及其制造方法，该方法包括形成一浅沟槽隔离构造于一硅基底中，定义一第一有源区域配置供一Ｐ－型场效应晶体管及一第二有源区域配置供一Ｎ－型场效应晶体管；在硅基底上形成一硬掩模，其具有一开口以露出在第一有源区域内的硅基底。通过硬掩...

本发明提供了一种制造图像传感器器件的方法。该方法包括：提供具有正面和背面的半导体衬底；在半导体衬底的正面形成第一隔离结构；从背面减薄半导体衬底；以及在半导体衬底的背面形成第二隔离结构。第一和第二隔离结构相对于彼此移动。

适用于晶片的化学气相淀积工艺的半导体炉。该炉包括一个热反应室，该室具有顶部、底部、侧壁和内部空腔，用以容纳一批垂直堆叠的晶片。具有一加热系统，包括多个配置的加热器，可以加热反应室。加热系统包括至少一个顶加热器、至少一个底加热器和多个沿反...

一种非易失性存储器，包括连接到位线和字线上的第一互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）器件以及连接到第一ＣＭＯＳ器件上的第二ＣＭＯＳ器件。第二ＣＭＯＳ器件还连接到互补位线与互补字线上。第一ＣＭＯＳ器件和第二ＣＭＯＳ器件互相互补。输出节点连接在...

本发明提供了一种制造图像传感器件的方法，包括：提供具有正面和背面的衬底；对位于所述衬底正面的光致抗蚀剂层进行图案化，以限定具有第一宽度的开口，所述光致抗蚀剂层具有与所述第一宽度相关的第一厚度；使用与所述第一厚度相关的注入能量穿过所述开口...

本发明提供了一种用于片上系统技术的金属－绝缘体－金属结构，其包括半导体衬底，形成在半导体衬底中的隔离结构，形成在隔离结构之上的导电层，以及形成在隔离结构之上的金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容。ＭＩＭ电容为冠形，其包括顶电极、第一底电极和...

一种具有金属源极的隧道场效应晶体管包括：沟道区；沟道区上方的栅电介质；和栅电介质上方的栅电极。第一源／漏区邻接栅电介质，其中第一源／漏区是半导体区且为第一导电类型。相比第一源／漏区，第二源／漏区在沟道区的相对侧上，其中第二源／漏区是金属...

本发明提出了一种用于ＴＳＶ铜附着的Ｚ形结构及其形成系统和方法。优选的实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的部分相接触的ＴＳＶ。ＴＳＶ导体和接触衬垫之间的分界面优选表现为非平面的Ｚ形结构，其形成了接触点的网格结构。可选择的，接触点可能形成...

一种制造半导体装置的方法，包括形成一第一金属层于一基底上，形成一第二层于该第一金属层上，形成一牺牲层于该第二层上，形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上。施以一第一蚀刻工艺于该基底，通过该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，以图案化该牺牲层，以...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，其具有第一栅极堆叠于第一区、第二栅极堆叠于第二区，其各自包含一虚置栅极；从第一栅极堆叠与第二栅极堆叠中去除虚置栅极，以形成一沟槽；形成一金属层填入部分沟槽；形成一氧化层于金属层...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含：提供一具有一第一区域及一第二区域的半导体基材；形成一高介电常数介电层于该基材上；形成一金属层于该高介电常数介电层上，该金属层具有一第一功函数；保护该第一区域中的金属层，对该第二区域中的金属层进行...

本发明提供了一种具有局部互连的半导体器件。所述半导体器件包括：布置在衬底上并且基本上在同一直线上的第一栅线结构和第二栅线结构。第一对源／漏区域被形成在第一栅线结构的两侧上的衬底里，并且，第二对源／漏区域被形成在第二栅线结构的两侧上的衬底...

本发明提供一种发光二极管元件的制造方法，以及将发光二极管元件从生长基底分离，该发光二极管元件经由在生长基底之上形成发光二极管结构而形成，该方法包括形成并图案化掩模层于生长基底上，形成第一接触层于图案化掩模层之上，使得第一接触层与图案化掩...

本发明公开一种半导体装置的制造方法。该方法包括提供一基底；以自由基（ｒａｄｉｃａｌ）对基底进行处理，而在其上形成一界面层；以及在界面层上形成一高介电常数材料层。上述自由基是择自于以下群族：含水自由基、氮／氢自由基及硫／氢自由基。本发明的...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含形成一牺牲层于一基材上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上；于该基材上进行离子注入；施予一硫酸（Ｈ２ＳＯ４）及过氧化氢（Ｈ２Ｏ２）溶液以移除该图案化光致抗蚀剂层；对该基材进行一清洁工艺；以及进行...

本发明提供一种用以预处理及稳定蚀刻腔室的方法及蚀刻腔室的清洁方法，其中用以蚀刻腔室的清洁方法包含提供一蚀刻腔室；导入一含有一惰性气体的第一气体至蚀刻腔室中持续一第一时间；以及在持续第一时间后，传送一第一晶片进入蚀刻腔室，对第一晶片进行蚀...

一种操作电路的方法，包括：提供包含输入端和输出端的电荷泵；在电荷泵的输出端向高电压电荷泵送输出电压；将电荷泵的输出端放电至电源电压ＶＤＤ。

本发明提供一种半导体元件及其金属栅极堆叠的形成方法，包括：于一基底上形成一第一材料层；于该第一材料层上形成一图案化光致抗蚀剂层；利用该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，对该第一材料层施行一蚀刻步骤；以及提供一含氮等离子体至该基底以移除该图案...