本发明提供一种形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法，包括下列步骤：于一蚀刻腔室内，通过一图案化掩模的定义栅极区的开口对一半导体基底进行一第一干蚀刻步骤，以移除位于该半导体基底上的一多晶硅层及一金属栅极层；于该蚀刻腔室内提供一水蒸汽至该半...

本发明提供一种临场检测装置，包括接收存放晶片的容器的负载端口，以及邻近负载端口的检测器。这样一来，检测器可检测晶片的金属特征以确认晶片是否位于正确位置。此外，本发明亦提供一种半导体工艺的临场检测方法，包括提供容器以存放晶片；以负载端口接...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括形成一栅极堆叠于一硅基底之上，形成虚置间隙子于该栅极堆叠的侧壁上，各向同性地蚀刻该硅基底以形成凹陷区于该栅极堆叠的一侧，形成一半导体材料于所述凹陷区之内，该半导体材料相异...

一种校正系统、校正方法与晶片盒，用以校正包括晶片输送叶片的晶片输送系统的晶片对位，校正方法包括提供具有多个水平方向的晶片插槽的晶片盒，其中晶片插槽的每一个包括多个对侧沟槽，并且每一对侧沟槽包括上表面、侧表面，以及下表面；将导电材料安置于...

一种研磨液供给系统及化学机械研磨站之的研磨液混合物供给法，该研磨液供给系统适用于半导体制造设备中的一化学机械研磨工艺及相关方法。研磨液供给系统包括一阀箱与一第一研磨液供给系列。阀箱包括至少一化学机械研磨站的一研磨液排放管座。第一研磨液供...

本发明提供一种含高介电常数金属栅极结构的半导体元件的制造方法。提供一包含虚置栅极结构（例如牺牲多晶硅栅极）的基材，一第一及第二硬掩模层位于此虚置栅极结构上方。在一实施例中，一应变区形成在此基材上。在形成此应变区之后，移除此第二硬掩模层。...

本发明提供一种具有金属栅极堆叠的集成电路与其形成方法，该集成电路包括半导体基板；栅极堆叠位于半导体基板上，其中栅极堆叠包括高介电材料层与位于高介电材料层上的第一金属层；以及凸起的源极／漏极区位于栅极堆叠的侧壁上，且凸起的源极／漏极区由外...

本发明提供一种基材的蚀刻方法，包含在基材上形成一光致抗蚀剂图案；对此基材施予化学蚀刻液体，其中此化学蚀刻液体包含扩散控制材料；移除化学蚀刻液体；及移除光致抗蚀剂。本发明的优点包含改善向下及横向的蚀刻速率，且没有化学品渗透至光致抗蚀剂所覆...

本发明提供一种可增加通道应力的集成电路，包括：一半导体基板，具有一有源区；至少一操作元件，形成于该有源区，其中该操作元件包括一拉伸通道；以及至少一第一伪栅极，设置于该有源区，位于该操作元件的一侧。本发明提供的集成电路可增加通道应力。

本发明提供一种形成发光二极管装置的方法。该方法包含：形成一发光二极管结构于一第一基底之上。将一部分的该第一基底转换成一孔洞层，以及形成一导电基底于与该第一基底相反侧的该发光二极管结构之上。沿着该孔洞层切割，以将该第一基底由该发光二极管结...

本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法。上述发光二极管装置形成于一基板上，其具有一含碳层。于上述基板中导入碳原子以避免或降低其上的金属／金属合金过渡层的原子与上述基板的原子混合。上述方法使形成于其上的上述发光二极管结构能维持一结晶结构...

本发明提供一种电路结构，该结构包括载体基板，其包括第一通孔以及第二通孔。每一第一通孔及每一第二通孔自载体基板的第一表面延伸至对向的第二表面。上述电路结构还包括发光二极管芯片接合至载体基板的第一表面上。发光二极管芯片包括第一电极及第二电极...

一种半导体装置，包括：一半导体基底，具有一第一部分与一第二部分；多数个晶体管，形成于该基底的该第一部分中，每个该晶体管具有一栅极结构，该栅极结构具有一高介电常数介电及一金属栅极；一装置，形成于该基底的第二部分中，该装置通过一隔离区域隔离...

本发明提供一种半导体元件及其制作方法。制作方法包括以下步骤：提供一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；形成一高介电常数层位于该半导体基材之上；形成一盖层位于该高介电常数层之上；形成一金属层位于该盖层之上；移除位于该第二区域的金属层与...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一半导体基板；于上述半导体基板上方形成至少一个栅极结构，其包括一虚设栅极；于上述半导体基板上方形成至少一个电阻结构，其包括一栅极；暴露至少一个上述电阻结构的上述栅极的...

一种电路，包括具有第一电源电压的第一电源节点；门控节点；以及连接在第一电源节点和门控节点之间的第一控制器件。第一控制器件被配置将第一电源电压传递到门控节点，或者将门控节点从第一电源电压上断开。第二控制器件连接在所述第一电源节点和所述门控...

本发明提供了一种固定器件的装置和方法。该装置包括晶片夹，其具有延伸穿过其中的第一和第二孔，以及压力控制结构，其能够独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个所述第一和第二孔中的压力。该方法包括提供晶片夹，该晶片夹具有延伸穿过...

本发明提供了一种具有多个有源器件构图的半导体衬底。有源器件构图中至少一些包括掺杂区域。衬底具有多个表面区域，包括有源器件构图和非构图区域，其对于近红外波长的光分别具有不同的反射率。确定在近红外波长的最大反射率和在近红外波长的最小反射率之...

本发明提供了一种半导体器件，包括衬底，形成在衬底内的静态随机存储器（ＳＲＡＭ）晶胞，形成在衬底之上的第一金属层，第一金属层提供到ＳＲＡＭ晶胞的局域互连，形成在第一金属层之上的第二金属层，第二金属层包括：每个具有第一厚度的位线和互补位线，...

一种方法，包括：在工艺室之外将第一半导体晶片从１５℃或以上的温度预冷却到５℃以下的温度。该预冷却的第一晶片在进行预冷却步骤之后被置于工艺室之内。在放置第一晶片之后在第一晶片上进行低温离子注入。