临场检测的装置、系统、及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种临场检测装置，包括接收存放晶片的容器的负载端口，以及邻近负载端口的检测器。这样一来，检测器可检测晶片的金属特征以确认晶片是否位于正确位置。此外，本发明专利技术亦提供一种半导体工艺的临场检测方法，包括提供容器以存放晶片；以负载端口接收容器；检测晶片的金属特征；以及由晶片的金属特征的检测结果确认晶片是否位于正确位置。本发明专利技术可以避免进行其他工艺的晶片错置于ＦＯＵＰ中而造成交叉污染或导致工作安全事故。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺，尤其涉及其应用的临场检测装置。
技术介绍
在大批量生产半导体元件的多种工艺中，需应用多种机台。在不同机台之间，常需 采用自动运输的方法搬移单片或批次/批货的晶片。一般来说，单片或批次/批货的晶片 存放于容器如晶片传送盒(front opening unified pod，以下简称F0UP)中，并以置顶输送 设备(overhead transport service，简称0HT)传送至适当位置，如连接至工艺器具的负载 端口(load port)中。然而，应该进行其他工艺的晶片可能会错置于F0UP中，这会造成交 叉污染，甚至导致工作安全事故。
技术实现思路
本专利技术提供一种临场检测装置，包括负载端口，用以接收存放晶片的容器，且负载 端口连结至半导体工艺器具；以及检测器，邻近负载端口且位于半导体工艺器具外部；其 中检测器用以检测晶片的金属特征，以确认晶片是否位于正确位置。本专利技术亦提供一种临场检测方法，包括提供容器以存放晶片；以负载端口接收容 器；检测晶片的金属特征；以及由晶片的金属特征的检测结果确认晶片是否位于正确位 置。本专利技术更提供一种临场检测系统，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种临场检测装置，包括：一负载端口，用以接收存放一晶片的一容器，且该负载端口连结至一半导体工艺器具；以及一检测器，邻近该负载端口且位于该半导体工艺器具外部；其中该检测器用以检测该晶片的金属特征，以确认该晶片是否位于正确位置。

【技术特征摘要】
US 2009-5-1 12/434,014一种临场检测装置，包括一负载端口，用以接收存放一晶片的一容器，且该负载端口连结至一半导体工艺器具；以及一检测器，邻近该负载端口且位于该半导体工艺器具外部；其中该检测器用以检测该晶片的金属特征，以确认该晶片是否位于正确位置。2.如权利要求1所述的临场检测装置，其中该检测器用以检测该晶片上的磁性或非磁 性金属层，且该非磁性金属层的厚度介于500埃至7000埃。3.如权利要求1所述的临场检测装置，其中该晶片自该负载端口传送至该半导体工艺 器具的路径中，必有一段路径的该晶片与该检测器的距离小于或等于10厘米。4.一种临场检测方法，包括 提供一容器以存放一晶片； 以一负载端口接收该容器； 检测该晶片的金属特征；以及由该晶片的金属特征的检测结果确认该晶片是否位于正确位置。5.如权利要求4所述的临场检测方法，其中检测该晶片的金属特征的步骤包括 将一检测器置于邻近该负载端口的位置；在传送该晶片的路径中，必有一段路径的该晶片与该检测器的距离小于或等于10厘米。6.如权利要求4所述的临场检测方法，其中检测该晶片的金属特征的步骤包括检测该 晶片上的金属层的磁性特征以确认该金属层是否具有磁性。7.如权利要求6所述的临场检测方法，其中该负载端口连结至用以进行前端工艺的一 半导体工艺器具，且该晶片的金属层不具磁性时，更包括一警报器警告该晶片不在正确位 置的状态。8.如权利要求4所述的临场检测方法，更包括 将该晶片自该负载端口传送至一半导体工艺器具；以及 以...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏昭安，阮志鸣，林炳辰，范扬楷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]