提高监测晶片利用率的方法技术

本发明专利技术揭露了一种提高监测晶片利用率的方法，该提高监测晶片利用率的方法包括：提供监测晶片；利用所述监测晶片监控离子注入工艺；继续利用所述监测晶片监控快速热退火工艺。本发明专利技术可提高监测晶片的利用率，有利于节约测试成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种提高监测晶片利用率的方法。
技术介绍
在集成电路制造领域，离子注入工艺对半导体器件的电性能起到重要作用，因此，需要对离子注入的状况(包括注入剂量和注入能量等参数)进行监控，以避免出现异常。目前，通常是将监测晶片放置于离子注入设备中，对该监测晶片进行预设注入参数的离子注入，然后测试该监测晶片的注入区域的电阻值，依据该电阻值和预设注入参数来判断离子注入设备工艺是否出现异常。此外，随着超大规模集成电路(ULSI)的迅速发展，半导体器件的集成度越来越高，尺寸越来越小。当器件尺寸缩小至次微米量级时，会相应的产生许多问题，如器件的电阻值的相应增加。为了克服此类问题，引入了自对准的金属硅化物(Salicide)工艺，该金属硅化物是一种具有热稳定性的金属化合物，具有较低的电阻值，在半导体器件的各个电极，如栅极、源极和漏极处或电连接处形成所述金属硅化物，可以显著减小电连接处的欧姆电阻。一般的，可通过以下步骤形成金属硅化物：首先，在晶片上形成金属层；接着，对所述晶片执行快速热退火工艺，以形成金属硅化物层。所述快速热退火工艺对形成的金属硅化物的质量至关重要，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高监测晶片利用率的方法，包括：提供监测晶片；利用所述监测晶片监控离子注入工艺；继续利用所述监测晶片监控快速热退火工艺。

【技术特征摘要】
1.一种提高监测晶片利用率的方法，包括：提供监测晶片；利用所述监测晶片监控离子注入工艺；继续利用所述监测晶片监控快速热退火工艺。2.如权利要求1所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，利用所述监测晶片监控离子注入工艺的步骤包括：对所述监测晶片执行离子注入工艺；测试所述监测晶片的电阻值，以监控所述离子注入工艺的注入效果。3.如权利要求2所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，所述离子注入工艺注入的杂质为硼离子。4.如权利要求2所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入能量大于200KeV，注入剂量小于1×1013/cm2。5.如权利要求1所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，利用所述监测晶片监控快速热退火工艺的步骤包括：在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭国超，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]