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本发明揭露了一种提高监测晶片利用率的方法，该提高监测晶片利用率的方法包括：提供监测晶片；利用所述监测晶片监控离子注入工艺；继续利用所述监测晶片监控快速热退火工艺。本发明可提高监测晶片的利用率，有利于节约测试成本。...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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