形成发光二极管装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种形成发光二极管装置的方法。该方法包含：形成一发光二极管结构于一第一基底之上。将一部分的该第一基底转换成一孔洞层，以及形成一导电基底于与该第一基底相反侧的该发光二极管结构之上。沿着该孔洞层切割，以将该第一基底由该发光二极管结构分离。本发明专利技术可在固定基底尺寸的前提下，达到增加该发光二极管装置的发光效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及其工艺，且特别涉及一种发光二极管装置及其 工艺。
技术介绍
利用电流在p-n结所产生的电子及空穴辐射性再结合，可产生电磁辐射 (例如光)。在从直接能隙材料(例如GaAs或GaN)制造的正偏压的p-n结， 该注入空乏区的电子空穴再结合产生电磁辐射的射出。该电磁辐射可以在可 见光的范围内，或是在非可见光的范围内。使用具有不同能隙的材料也可产 生出具有不同发光颜色的发光二极管。此外， 一发光二极管发出具有特定波长范围的电磁辐射时，表示可利用一荧光体来吸收该等辐射，并发射出一或 多种不同的波长的辐射。因此，举例来说， 一发光二极管发出非可见光时， 可利用一荧光体将该非可见光转换成一可见光。由于硅基底的低成本及大量广为人知可运用于其上的工艺技术手段，使 得利用硅基底来形成发光二极管装置将会十分具有吸引力。对于垂直发光二 极管装置，该硅基作为一导电界面以提供一电性连结至该发光二极管结构的 底部接触层。然而由硅基底一般具有相对高的吸收率，因此负面地影响该发 光二极管装置的发光效率。一用来解决上述问题的方法是利用一反射层，例如分布式布拉格反射层 或反射缓冲层，以将光由基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成发光二极管装置的方法，包含：　提供一第一基底；　形成一发光二极管结构于该第一基底之上；　在形成该发光二极管结构后，形成一孔洞层于该第一基底之上；　形成一导电基底于该发光二极管结构之上；以及　沿着该孔洞层将该发光二极管结构由 该第一基底上分离。

【技术特征摘要】
US 2008-8-29 61/093,133;US 2009-8-14 12/541,7871.一种形成发光二极管装置的方法，包含提供一第一基底；形成一发光二极管结构于该第一基底之上；在形成该发光二极管结构后，形成一孔洞层于该第一基底之上；形成一导电基底于该发光二极管结构之上；以及沿着该孔洞层将该发光二极管结构由该第一基底上分离。2. 如权利要求1所述的形成发光二极管装置的方法，其中分离该发光二 极管结构的步骤包含切割该孔洞层以对该第一基底进行机械性分离。3. 如权利要求1所述的形成发光二极管装置的方法，其中分离该发光二 极管结构的步骤包含通过一化学蚀刻工艺移除该孔洞层。4. 如权利要求1所述的形成发光二极管装置的方法，其中形成该发光二 极管结构的步骤包含形成该发光二极管结构于牺牲栓塞间。5. 如权利要求4所述的形成发光二极管装置的方法，进一步包含移除该牺牲栓塞以产生一开口位于该发光二极管结构中。6. 如权利要求5所述的形成发光二极管装置的方法，进一步包含沿着该 开口的侧壁形成间隙壁。7. 如权利要求1所述的形成发光二极管装置的方法，其中提供该第一基 底的步骤包含提供一具有掺杂层的基底，以及其中形成该孔洞层的步骤包含 在形成该发光二极管结构后将该掺杂层转换成该孔洞层。8. 如权利要求1所述的形成发光二极管装置的方法，其中该导电基底的 形成至少部分是通过电镀来达成...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鼎元，余振华，邱文智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]