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本发明提供一种形成发光二极管装置的方法。该方法包含:形成一发光二极管结构于一第一基底之上。将一部分的该第一基底转换成一孔洞层,以及形成一导电基底于与该第一基底相反侧的该发光二极管结构之上。沿着该孔洞层切割,以将该第一基底由该发光二极管结构分...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种形成发光二极管装置的方法。该方法包含:形成一发光二极管结构于一第一基底之上。将一部分的该第一基底转换成一孔洞层,以及形成一导电基底于与该第一基底相反侧的该发光二极管结构之上。沿着该孔洞层切割,以将该第一基底由该发光二极管结构分...