半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包含一半导体基质；一形成于基质中的隔离结构，由第一材料形成，用以隔离基质中的有源区；一形成于基质中的有源区中的有源装置，此有源装置具有高介电常数介电质及金属栅极；以及一形成于隔离结构中的无源装置，此无源装置由与第一材料不同的第二材料形成，并具有预定的电阻率。本发明专利技术可以提供一种具有能够满足适当电阻率需求的电阻器或电子熔丝。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，且特别是涉及一种用于高介电常数金属栅极技 术的电阻装置及其制造方法。
技术介绍
多晶硅电阻己被广泛用于传统集成电路设计中，包含用于RC震荡器、 限制电流的电阻(current limitation resistance) 、 ESD保护器(ESD protect)、 RF后置驱动器(RF post driver)、晶片终端电阻(on-chip termination)及阻 抗匹配(impedance matching)等。对于栅极置换技术(通常称为后栅极工艺) 来说，多晶硅电阻器通常包含硅化物区域，其电阻率较低，因此需要较大的 区域。单晶硅电阻器(例如，形成于半导体基质中的电阻器)己被提出以解 决上述问题，然而，单晶硅电阻器无法提供精确的阻抗匹配及用于模拟电路 的电容量，例如无线射频及混合模式的电路。多晶硅电子熔丝(eFuses)已被广泛用于传统存储集成电路设计中。对 于高介电常数金属栅极技术来说，由于多晶硅层上形成有金属栅极且多晶硅 层下形成有硅化物，因此电阻率偏低，欲烧毁电子熔丝变得相对困难。接触 点、通孔及铜金属的使用已被提出可解决上述问题，然而，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包含：　一半导体基质；　一隔离结构，形成于该基质中，用以隔离该基质的一有源区，该隔离结构由一第一材料形成；　一有源装置，形成于该基质的该有源区中，该有源区具有一高介电常数介电质及一金属栅极；以及　一无 源装置，形成于该基质的该隔离结构中，该无源装置由与该第一材料不同的一第二材料形成，及具有一预定的电阻。

【技术特征摘要】
US 2008-9-10 61/095,762;US 2009-4-30 12/432,9261.一种半导体装置，包含一半导体基质；一隔离结构，形成于该基质中，用以隔离该基质的一有源区，该隔离结构由一第一材料形成；一有源装置，形成于该基质的该有源区中，该有源区具有一高介电常数介电质及一金属栅极；以及一无源装置，形成于该基质的该隔离结构中，该无源装置由与该第一材料不同的一第二材料形成，及具有一预定的电阻。2. 如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二材料包含一多晶硅。3. 如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一材料包含一氧化硅。4. 如权利要求1所述的半导体装置，其中该无源装置包含矩形、狗骨头 形或多边形的形状。5. 如权利要求4所述的半导体装置，其中该形状的深度与该无源装置的 该预定电阻相关。6. —种半导体装置，包含 一半导体基质；一隔离结构，形成于该基质中，用以隔离该基质的一第一区域及一第二 区域，一第一晶体管及一第二晶体管，分别形成于该第一区域及该第二区域 中，且该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟昇镇，郑光茗，庄学理，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]