电压电平移位器、电压电平移位方法以及集成电路技术

本发明专利技术提供一种电压电平移位器、电压电平移位方法以及集成电路，该电压电平移位器包括可以接收输入电压信号的一输入端，上述输入电压信号包括从第一电压状态至第二电压状态的一第一状态转换，一输出端输出具有相对于上述输入电压信号的上述第一状态转换的由第三电压状态至第二电压状态的一第二状态转换的一输出电压信号，一驱动级包括一第一晶体管和一第二晶体管，从一对应于上述第一电压状态和上述第二电压状态的电压电平的平均值的一时间开始，避免施加上述第二电压状态至上述第一晶体管的栅极以使得第一晶体管不导通。本发明专利技术可以避免在高电压操作下的闪存的各装置、晶体管和／或电路损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体电路的领域，尤其涉及一种用于控制电平移位的电压电平 移位器、集成电路、系统以及方法。
技术介绍
在各种的应用中都会使用到闪存，闪存提供随机存取等处理以存储例如应用程 序的数据。数据可从闪存单元中多次写入与读出，一般的闪存单元为一改良式具有堆叠 栅(stacked gate)的金属氧化物半导体晶体管。该堆叠栅包括了一控制栅以及一浮动 栅，该控制栅用来控制晶体管的导通或不导通以控制从漏极(Drain)到源极(Source)的 电流，而浮动栅位于控制栅与装置沟道之间。电荷会注入或离开浮动栅，此浮动栅因为由 绝缘材料所包围而变的受到限制。快闪晶体管单元的阈值电压会随着浮动栅的充电状态 (charging-state)而改变，且根据浮动栅的充电状态将二进制数据数值存储于各个闪存单 元中。浮动栅的充电或放电的过程被称之为擦除(erasing)或写入(programming)，擦 除或写入该闪存单元需要能够克服像是氧化层所造成的能量势垒(energy barrier)的电 子(其中该氧化层介于浮动栅电极与充电电源之间)，该电子的能量等级须借由于能量势 垒施加相对大的跨压以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压电平移位器，包括：一输入端，接收一输入电压信号，上述输入电压信号包括由一第一电压状态转换至一第二电压状态的一第一状态转换；一输出端，输出一输出电压信号，上述输出电压信号对应于上述输入电压信号的上述第一状态转换而具有由一第三电压状态转换至上述第二电压状态的一第二状态转换；以及一驱动级，耦接于上述输入端以及上述输出端之间，上述驱动级包括一第一晶体管以及第二晶体管，其中从在一时间之后，上述第二电压状态被免于施加在上述第一晶体管的栅极上以使得上述第一晶体管不导通，其中上述时间对应于上述第一电压状态和上述第二电压状态的电压电平的平均值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨天骏，隋彧文，林志昌，普强荣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]