【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置,特别涉及一种图像感测装置。
技术介绍
半导体图像感测装置用于感测例如光的辐射线。互补式金属氧化物半导体晶体管 (CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合元件(CCD)传感器广泛地使用于例如数码摄像机或移 动电话的摄像机元件等不同方面的应用。上述元件使用基板中的像素矩阵,其包括光二极 管和晶体管,上述光二极管和晶体管可以吸收朝基板投射的辐射线,且将感测的辐射线转 换为电子信号。然而,当图像传感器中的一像素吸收到预期朝向另一像素投射的光时,图像 传感器会产生干扰信号。这种干扰信号可视为光学串扰(optical cross-talk),光学串扰 会使图像传感器的性能变差。另外,图像传感器可包括位于周边区中的元件,上述元件需保 持光学上的黑暗(optically dark)。当位于周边区中的上述元件暴露在光中时,也会使其 性能变差且会产生干扰信号。就背照式图像传感器(BSIimage sensor)而言,前述问题会 特别明显。因此,公知图像传感器的制造方法已可以满足一般需求,但却不能完全满足各方 面的需求。
技术实现思路
为解决前述问题,本专 ...
【技术保护点】
一种图像感测装置的制造方法,包括下列步骤:提供一装置基板,其具有一前侧和一后侧;于该装置基板中形成一第一辐射线感测区和一第二辐射线感测区,该第一辐射线感测区和该第二辐射线感测区以一隔绝结构隔开;于该装置基板的该后侧上方形成一透明层;于该透明层中形成一开口,该开口对准该隔绝结构;以及利用一不透明材料填入该开口。
【技术特征摘要】
US 2009-3-30 12/413,752一种图像感测装置的制造方法,包括下列步骤提供一装置基板,其具有一前侧和一后侧;于该装置基板中形成一第一辐射线感测区和一第二辐射线感测区,该第一辐射线感测区和该第二辐射线感测区以一隔绝结构隔开;于该装置基板的该后侧上方形成一透明层;于该透明层中形成一开口,该开口对准该隔绝结构;以及利用一不透明材料填入该开口。2.如权利要求1所述的图像感测装置的制造方法,更包括 于该前侧上方形成一内连线结构;于形成该透明层之前,接合一承载基板至该装置基板的该前侧; 对该不透明材料进行一化学机械研磨工艺,以形成一不透明物,该不透明物具有与该 透明层的表面共平面的一表面;于该图像感测装置的一接合垫区域中形成一另一开口,该另一开口延伸穿过该装置基 板且暴露出该内连线结构;以及于该另一开口中形成一接合垫,该接合垫部分填入该开口且直接接触该内连线结构。3.如权利要求1所述的图像感测装置的制造方法,其中形成该开口的步骤包括于该透 明层中形成一另一开口,该开口于该图像感测装置的一像素区中形成,且该另一开口于该 图像感测装置的一周边区中形成。4.如权利要求3所述的图像感测装置的制造方法,其中填入该开口的步骤包括利用该 不透明材料填入该另一开口,其中该不透明材料包括金属。5.如权利要求3所述的图像感测装置的制造方法,更包括 于该装置基板中,且于该周边区中形成一周边元件,其中完成形成该另一开口的步骤,以使该另一开口的宽度不小于该周边元件的宽度。6.如权利要求1所述的图像感测装置的制造方法,其中完成形成该开口的步骤,以使 该开口垂直地延伸穿过该透明层以使该开口的宽度等于该隔绝结构的宽度。7.如权利要求1所述的图像感测装置的制造方法,填入该开口的步骤之前更包括利用 一另一透明层部分填入该开口以形成一较小开口,其中该较小开口的宽度等于该隔绝结构 的宽度。8.一种图像感测装置的制造方法,包括下列步骤 提供一装置基板,其具有一前侧和一后侧;于该装置基板中形成一辐射线感测区; 于该装置基板的该后侧上方形成一透明层;图案化该透明层,以形成一透明物和邻接于该透明物的一开口,该透明物对准该辐射 线感测区,且该开口对准该隔绝结构;以及...
【专利技术属性】
技术研发人员:王文德,杨敦年,刘人诚,庄俊杰,林政贤,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。