本发明提供一种集成电路结构，其包括一第一工作件及一第二工作件。此第一工作件包含一铜凸块位于此第一工作件的主要表面上且具有一第一尺寸；及一含镍阻挡层，位于此铜凸块上并与其邻接。第二工作件与第一工作件接合，且此第二工作件包含一连接垫及一阻焊...

一种集成电路结构，包括一基底，其具有一第一部分于一第一元件区中与一第二部分于一第二元件区中；以及两个隔离区于该第一元件区中且于该基底上。所述两个隔离区包括一第一介电材料其具有一第一ｋ值。一半导体条介于所述两个隔离区之间并与所述两个隔离区...

一种衬底偏置控制电路包括响应ＰＶＴ效应的工艺电压温度（ＰＶＴ）效应传感器。ＰＶＴ效应计量器与ＰＶＴ效应传感器相连接。ＰＶＴ效应计量器将ＰＶＴ效应进行量化并且提供输出。ＰＶＴ效应计量器包括至少一个计数器和周期信号发生器。周期信号发生器为计...

本发明公开了一种虚拟结构的硅通孔及其形成方法，该硅通孔包括顶部焊盘和与该顶部焊盘相连接的垂直导电柱。顶部焊盘比垂直导电柱的横截面覆盖的面积更广。互连（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）焊盘至少部分地形成在顶部焊盘下面。底层下层同样至少部分地形成...

公开了一种图像感测的系统和方法。一个实施例包括具有像素区域和逻辑区域的衬底。第一抗氧化保护层（ＲＰＯ）形成在像素区域的上方，但是不在逻辑区域的上方。硅化物接触件形成在像素区域中形成的有源器件的顶部上，但是不在像素区域中的衬底的表面上，并...

本发明提供一种半导体元件与其制作方法。该半导体元件包含有一基底、一栅结构、至少一Ｌ形层与一间隙壁、以及一应力层。该栅结构设于该基底上，该Ｌ形层具有一第一脚边，沿着该栅结构延伸到一第一端点，以及一第二脚边，沿着该基底延伸到一第二端点。该间...

一种集成电路，包括电平移位器，该电平移位器被配置为接收在第一电压电平和第二电压电平之间摆动的第一电压信号，输出在第一电压电平和第三电压电平之间摆动的第二电压信号。第三电压电平大于第二电压电平。反相器与电平移位器连接。反相器可接收第二电压...

本发明提供一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：提供半导体基板；提供第一、第二、及第三微影掩模；形成第一掩模层于该半导体基板上；借由该第一掩模层对该半导体基板进行第一蚀刻以定义出有源区域；形成第二掩模层于该半导体基板及该有源区域上；形...

一种低压降稳压器、直流对直流转换器以及低压降稳压方法，该稳压器包括：一放大器，具有一正端，用以接收一参考电压；一主要源极随耦器，具有一源极，耦接至放大器的一负端，其中放大器的一输出端用以驱动主要源极随耦器的一栅极；以及至少一从属源极随耦...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置的制造方法包括提供一半导体基板；于上述半导体基板中形成一沟槽，其中上述沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且上述沟槽的一侧面具有一第二结晶面方向；进行一外延工艺，于上述沟槽中生长一半导体...

本发明提供一种形成集成电路结构的方法，包括：提供一半导体基底，包括一顶部表面；形成一第一绝缘区和一第二绝缘区于半导体基底中；及凹陷化第一绝缘区和第二绝缘区，其中第一绝缘区和第二绝缘区剩余部分的顶部表面是平坦表面或凹陷表面，且其中位于第一...

本发明提供一种半导体元件及其制法。半导体元件包括一基材、一隔离结构特征设置于基材上、以及有源区相邻于隔离结构特征。隔离结构特征可以是浅沟隔离结构（ＳＴＩ）特征。浅沟隔离结构特征在顶部具有一第一宽度，与在底部具有一第二宽度，其中第一宽度小...

一种射频放大器电路包括能够承受基板偏压的基板。晶体管的源极能够承受源极偏压。晶体管的漏极能够承受漏极偏压。晶体管的栅极位于源极和漏极之间。射频输入信号耦合至栅极。基板偏置电路提供基板偏压。基板偏压和源极偏压正向偏置由源极和基板形成的第一...

本发明提供一种存储器与休眠电路，该存储器包括：第一供应电压节点，一存储器巨集，一第一电路耦接至存储器巨集，一第一装置耦接至第一供应电压节点和第一电路，以及一第二装置耦接至第一供应电压节点和存储器巨集。存储器巨集之一第二供应电压节点用以选...

本发明揭示形成半导体芯片接触结构的系统与方法，本发明的半导体元件及其制造方法的实施例包括顶层金属接点，例如铜，其厚度大到足以作为其底下的低介电常数、极低介电常数或超低介电常数介电层的缓冲物，接触垫或后钝化内连线可在顶层金属接点之上形成，...

本发明提供集成电路结构的形成方法，包含在晶片上形成含铜晶种层，以及在含铜晶种层暴露出来的表面上进行表面残留物去除步骤，表面残留物去除步骤使用含有氟与氧的工艺气体进行，然后在含铜晶种层暴露出来的表面上使用含氮气体进行还原吹净步骤，之后在含...

本发明公开了熔丝结构，依据一实施例，该熔丝结构包括阳极、阴极、熔断体设置于阳极与阴极之间，以及多个阴极连接器耦接至阴极，每个阴极连接器等于或大于耦接至有源元件的接触窗的最小特征尺寸的约两倍。本发明的熔丝结构更坚固耐用，能够降低在公知的单...

本发明公开了一种存储器装置、磁性随机存取存储器的存储单元及其制造方法，用于ＭＲＡＭ的反向连接的ＳＴＴ　ＭＴＪ元件，当切换该ＭＴＪ元件的磁化自平行至反平行方向时，用以克服源极退化效应。一ＭＲＡＭ的存储单元具有反向连接的ＭＴＪ元件，包括一切...

本发明提供一种处理半导体晶片的装置及方法，该装置用来在对每一半导体晶片同步进行处理操作时，以反方向同时移动多个半导体晶片。半导体晶片以共平面方式定位且配置于多个载台上，该载台以反方向同时移动以产生为零的一净系统动量。各个半导体晶片的裸片...

本发明提供一种集成电路结构，包括一第一工件，其择自一半导体芯片及一封装基材所组成的群组，其中该第一工件包含多个第一凸块下金属，分布于此第一工件的主要表面上；以及多个第一金属凸块，其中每一第一金属凸块直接位于一个此第一凸块下金属上并与其电...